[实用新型]串口静电保护器

说明书

【技术领域】

本实用新型是关于一种计算机设备，特别是指一种串口静电保护器。

【背景技术】

现有的串口设计为IO串口信号通过普通的电平转换芯片或者直接引出串口信号到端末的DB9或者DB25接口实现的，这种设计会在复杂的工作环境中导致串口故障等问题。

在部分环境相对恶劣的应用场合中，由于静电浪涌等信号会通过串口部分引入到端末设备，会导致端末设备的串口无法通讯，更严重的会导致与串口相连的主板上芯片烧毁等问题，所以为了改善该问题需要设计串口静电保护器。

【发明内容】

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种增强串口保护能力、减少端末设备主机板串口相关电路的损坏问题的串口静电保护器。

本实用新型是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种串口静电保护器，包括9针的D型数据接口连接器母头、9针的D型数据接口连接器公头，以及瞬变电压抑制芯片，所述瞬变电压抑制芯片连接在9针的D型数据接口连接器母头与9针的D型数据接口连接器公头的其中8根信号线与地线之间。

该实用新型可进一步具体为：

所述瞬变电压抑制芯片为SM12芯片，所述串口静电保护器的其中8根信号线与信号地线之间各串接一SM12芯片。

本实用新型串口静电保护器的优点在于：减少在复杂的工作环境中产生的静电、浪涌等外界干扰信号，保护端末设备的主机板，保证串口更加可靠地工作。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1是本实用新型串口静电保护器的连接关系图。

图2是本实用新型串口静电保护器的内部电路图。

【具体实施方式】

请同时参阅图1，本实用新型串口静电保护器包括DB9(9针的D型数据接口连接器)母头10、DB9公头20，以及连接在DB9母头与DB9公头之间的瞬变电压抑制芯片30。

所述DB9母头10连接于端末主机的串口，DB9公头20连接于串口外设。

请同时参阅图2，该实施例中，所述瞬变电压抑制芯片30由8颗芯片Q1至Q8组成，该芯片Q1至Q8均为专用瞬变电压抑制芯片SM12，SM12芯片最大峰值功率为300瓦，符合IEC 61000-4-2(ESD)±15kV(air)，±8kV(contact)、IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)和IEC 61000-4-5(Lightning)12A(8/20μs)标准，保证串口信号线的安全和可靠传输。其中该串口静电保护器的其中8根信号线与信号地线之间各串接一SM12芯片。

使用时，将DB9母头10连接于端末主机的串口，DB9公头20连接于串口外设，则相当于在串口的8根信号线和信号地线(SG)之间各串接了一SM12芯片，对8根信号线进行相关保护，保证串口信号线的安全和可靠传输。该串口的8根信号线分别为：1.载波检测(DCD)、2.接收数据(RXD)、3.发出数据(TXD)、4.数据终端准备好(DTR)、5.数据准备好(DSR)、6.请求发送(RTS)、7.清除发送(CTS)、8.振铃指示(RI)。