[实用新型]一种可控硅控制电路有效
| 申请号： | 200820096147.5 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN201266915Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王勇;董晓勇;刘建伟;汪显方;白清利 | 申请（专利权）人： | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 易 钊 |
| 地址： | 518000广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 控制电路 | ||
【权利要求书】：
1、一种可控硅控制电路，包括双向可控硅，其特征在于，所述可控硅的触发端与MCU输入/输出口之间连接有电容C1，可控硅的触发端与地之间还连接有二极管D1，所述二极管D1的正极与可控硅的触发端相连、负极与地相连。
2、根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，在所述MCU输入/输出口与电容C1之间还连接有限流电阻R1。
3、根据权利要求2所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述C1的电容值为1微法，所述电阻R1的阻值为100欧姆。
4、根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，在所述可控硅的触发端与地之间还连接有抗干扰电阻R2。
5、根据权利要求4所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值为1K-10K欧姆。
6、根据权利要求5所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值为10K欧姆。
7、根据权利要求1—6中任何一项所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述述二极管D1的型号为IN4148。
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