[实用新型]改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置无效
| 申请号： | 200820085030.7 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN201177164Y | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 徐永忠;汪贵发;楼春兰;郑辉;赖建华 | 申请（专利权）人： | 万向硅峰电子股份有限公司 |
| 主分类号： | F17D5/02 | 分类号： | F17D5/02 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 324300*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 半导体 单晶硅 研磨 硅片 平行 装置 | ||
1、一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置，包括磨盘、内齿轮(5)、外齿轮(3)和载体片(1)，内齿轮外壁(51)和外齿轮内壁(31)为齿形壁，内齿轮外壁(51)和外齿轮内壁(31)之间的区域底部设有下磨盘(4)，多个圆形状的载体片(1)水平状布置在下磨盘(4)上，载体片(1)经外轮廓(12)上的齿件与内齿轮(5)和外齿轮(3)的齿形壁啮合；载体片(1)上设有用于接纳硅片(2)的若干个放片孔(11)，其特征是：所述下磨盘(4)的下磨盘内轮廓(41)直径扩大后与内齿轮外壁(51)之间留有一圈内空磨区(52)，所述下磨盘(4)的下磨盘外轮廓(42)直径缩小后与外齿轮内壁(31)之间留有一圈外空磨区(6)；所述载体片(1)的放片孔(11)，每个放片孔(11)的局部运动轨迹分别与内空磨区(52)、外空磨区(6)重叠。
2、如权利要求1所述的一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置，其特征是：所述的下磨盘(4)上方还设有上磨盘，上磨盘内轮廓和上磨盘外轮廓的直径与下磨盘(4)的下磨盘内轮廓(41)和下磨盘外轮廓(42)的直径相一致。
3、如权利要求2所述的一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置，其特征是：上磨盘外轮廓和下磨盘外轮廓(42)的直径缩小值外空磨区为5～8mm，上磨盘内轮廓和下磨盘内轮廓(41)的直径扩大值内空磨区为3～5mm。
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