[实用新型]一种等离子体化学气相沉积进气装置有效

专利信息
申请号: 200820073011.2 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN201326014Y 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 刘万学;张兵;张宝平;钟福建 申请(专利权)人: 吉林庆达新能源电力股份有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 代理人: 石 岱
地址: 136000吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 化学 沉积 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池生产过程中的进气装置,具体的说是一种提高等离子体化学气相沉积(PECVD)均匀性的进气装置。

背景技术

在太阳能电池生产过程中,需要在玻璃基片上沉积PIN层,即分别向PECVD(等离子体化学气相沉积)设备通入硼烷、硅烷、磷烷,在PECVD内部有很多电极板,对电极板通电,则PECVD设备内部气体被电离,电离出的硼、硅、磷分别沉积在玻璃基片上形成PIN结,PIN结在光照的作用下,根据光电效应进行发电。

PECVD设备的使用过程中需要不断的进气,并且沉积硼、硅、磷时要求沉积膜层均匀,形成稳定的PIN结构,所以在进气时就要求气体能尽量均匀。现有PECVD设备为上部进气。所以当气体运动到下部时,浓度下降,影响沉积效果。

所以,需要对设备进行改进,使进气能均匀一些。保证PIN膜层的均匀,稳定。

发明内容

本实用新型的目的是要提供一种太阳能电池生产过程中,能够实现PECVD设备的进气均匀、稳定,从而保证沉积的PIN膜层均匀稳定的进气装置。

本实用新型的目的是这样实现的:该装置包括设备主体(PECVD设备主体),所述的设备主体采用双侧进气的方式,其上面和下面均带有进气孔。

本实用新型由于采用上述结构,使得PECVD设备的进气方式由原来的一面进气改为目前的双面进气,即上下面一起进气,保证了进气的均匀性和沉积效果,使形成的PIN层结构均匀、稳定。

附图说明

图1为一种等离子体化学气相沉积进气装置整体结构示意图。

具体实施方式

由附图1所示:该装置包括设备主体1(PECVD设备主体),所述的设备主体1采用双侧进气的方式,其上面和下面均带有进气孔2。

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