[实用新型]一种等离子体化学气相沉积进气装置有效
| 申请号: | 200820073011.2 | 申请日: | 2008-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN201326014Y | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
| 发明(设计)人: | 刘万学;张兵;张宝平;钟福建 | 申请(专利权)人: | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 | 代理人: | 石 岱 |
| 地址: | 136000吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池生产过程中的进气装置,具体的说是一种提高等离子体化学气相沉积(PECVD)均匀性的进气装置。
背景技术
在太阳能电池生产过程中,需要在玻璃基片上沉积PIN层,即分别向PECVD(等离子体化学气相沉积)设备通入硼烷、硅烷、磷烷,在PECVD内部有很多电极板,对电极板通电,则PECVD设备内部气体被电离,电离出的硼、硅、磷分别沉积在玻璃基片上形成PIN结,PIN结在光照的作用下,根据光电效应进行发电。
PECVD设备的使用过程中需要不断的进气,并且沉积硼、硅、磷时要求沉积膜层均匀,形成稳定的PIN结构,所以在进气时就要求气体能尽量均匀。现有PECVD设备为上部进气。所以当气体运动到下部时,浓度下降,影响沉积效果。
所以,需要对设备进行改进,使进气能均匀一些。保证PIN膜层的均匀,稳定。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种太阳能电池生产过程中,能够实现PECVD设备的进气均匀、稳定,从而保证沉积的PIN膜层均匀稳定的进气装置。
本实用新型的目的是这样实现的:该装置包括设备主体(PECVD设备主体),所述的设备主体采用双侧进气的方式,其上面和下面均带有进气孔。
本实用新型由于采用上述结构,使得PECVD设备的进气方式由原来的一面进气改为目前的双面进气,即上下面一起进气,保证了进气的均匀性和沉积效果,使形成的PIN层结构均匀、稳定。
附图说明
图1为一种等离子体化学气相沉积进气装置整体结构示意图。
具体实施方式
由附图1所示:该装置包括设备主体1(PECVD设备主体),所述的设备主体1采用双侧进气的方式,其上面和下面均带有进气孔2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林庆达新能源电力股份有限公司,未经吉林庆达新能源电力股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820073011.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用电磁铁的镜头驱动机构
- 下一篇:深紫外超宽带偏振器
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





