[实用新型]一种利用激光与半导体致冷片进行诱垢的装置无效

专利信息
申请号: 200820065959.3 申请日: 2008-03-14
公开(公告)号: CN201186891Y 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 易兵 申请(专利权)人: 易兵
主分类号: C02F5/00 分类号: C02F5/00;C02F1/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430034湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 激光 半导体 致冷 进行 装置
【说明书】:

所属技术领域

本实用新型涉及一种水处理技术中的激光与半导体软化水质装置,具体地讲是一种利用激光与半导体致冷片进行诱垢的装置。

背景技术

工业冷却循环水系统、中央空调水系统、锅炉水系统以及换热器系统中,都存在大量的热交换过程,都要求热交换的效率越高越好。而热交换效率的提高,意味着只需要较少的能源,就能达到工业生产换热系数的要求。水在循环系统中不断蒸发浓缩,或在受热时因为碳酸钙晶体析出,是工业生产中很常见的有害现象。垢体的导热能力远小于金属铜和铁的导热能力,因此,结垢直接影响到工业生产的能源浪费。目前市售的软水器,设备内部一般都采用钠离子交换树脂灌装,用树脂中不形成硬度的钠离子,把形成硬度的钙、镁离子,从水中置换出来,达到软化水质和防垢的目的,这个过程也称之为软化过程。在这个工作过程中,由于钠离子置换完成,钠离子交换器也失去了软化效果,需要用盐水进行反洗、再生还原等过程,才能再一次投入软化使用;如此反复循环,不仅投资大、安装调试时间长、操作与使用不便,最关键的是,即便采用了自动化控制,每天也要消耗大量的反洗水与盐,其连续投入的成本昂贵。

发明内容

为克服现有钠离子交换技术方面的不足,本实用新型的目的在于:提供一种利用激光与半导体致冷片进行诱垢的装置,达到不需要反洗水和盐就能软化的目的。首先利用激光增强水分子的布朗运动,催化钙、镁离子的结垢过程,然后利用半导体致冷片的制冷面降低水的温度,再利用半导体致冷片的制热面提高水的温度,使钙、镁离子在速冷后又速热的瞬时温差作用下,迅速在半导体致冷片的制热面,也就是诱垢载体上结成垢体,使流出本装置的水,在进入后级的热交换设备中不结垢或少结垢,达到软化水质的目的。

为了达到上述目的,本实用新型采取的解决方案是:一种利用激光与半导体致冷片进行诱垢的装置,由前置过滤器、激光发射器、石英玻璃管道、半导体诱垢载体腔、超声波发生器、超声波负载腔、单片机电气控制柜、承重架组成。

单片机电气控制柜7可以提供激光发生器2、半导体诱垢载体腔4、超声波发生器6需要的驱动电压。

前置过滤器1是一个圆柱形的过滤装置,其作用是对需要软化和诱垢的水,进行前期的预处理过滤,保证水分子能充分被激光发生器2活化,同时也防止杂质污染半导体诱垢载体腔4和超声波负载腔5。

激光发生器2内装有二个或二个以上半导体激光器,通过透明的钢化玻璃照射到管道内,石英玻璃管道3是一个可以承受管内工作压力的透明管道,其作用一方面是可以观察内部激光的工作过程,另一方面是可以通过肉眼观察激光的明暗程度,确定管道内部水质的混浊程度。

半导体诱垢载体腔4上设有三个或三个以上的半导体致冷片,按从高到低的顺序依次安装。水流最先接触到的半导体诱垢器件安装方法是:制冷面浸入水中,用来降低水体温度,而制热面朝向管道外部充分散热。其它安装部位的方法是:半导体诱垢器件的制热面浸入水中,用来迅速提升水温,而制冷面朝向管道外部,以保证被激光活化后的水能在诱垢载体上充分结垢。

超声波发射器6内部装有超声波换能器,能把超声波的振荡能量通过超声波负载腔5传递到水中,其作用是使水分子质点产生每秒20KHz以上的振荡,一方面可以起到在线清洗的作用,另一方面可以强化传递热能的作用。

承重架8是矩形的支撑结构,采用工字钢或H型钢制作而成,使以上部件能整齐的安装与组合在一起,方便运输和调试。

本实用新型采用上述结构,因为采用了激光发生器2与半导体诱垢载体腔4的共同催化结垢作用,可以使水中大多数的钙、镁离子在半导体诱垢载体腔4内首先结垢,保证出水的不结垢或少结垢,达到了强化后级设备热交换效率与保护贵重设备的目的。

本实用新型具有以下特点:

1、达到了软化水质的目的。由于采用了激光强化与瞬时温差诱垢方式,使循环水在本设备内的结垢能力增强,而在后级设备不结垢和少结垢。

2、使用维护方便,减少投资。由于采用了易拆卸的半导体诱垢器件,结垢后很容易拆洗和安装还原,最关键是不在需要每天使用水和盐进行反洗,节省了每天的运行成本。

3、整体构造便于安装与调试。由于采用了矩形承重架的组合方式,对各部件进行组合,用户在使用时只需要进行简单的电气布线与管路安装就能投入运行。

附图说明

下面结合实施例及附图对本实用新型再作描述。

图1是本实施例的整体结构示意图;

图2是本实用新型激光发生器安装结构图;

图3是本实用新型半导体诱垢载体腔安装结构图。

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