[实用新型]一种可调电容性耦合带通滤波器无效

专利信息
申请号: 200820065875.X 申请日: 2008-03-06
公开(公告)号: CN201163655Y 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 安建光 申请(专利权)人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207;H01P7/06
代理公司: 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人: 黄行军
地址: 430074湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 可调 电容 耦合 带通滤波器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及微波通信领域,尤其涉及可调电容性耦合带通滤波器。

背景技术

现有滤波器(双工器)是一种为固定工作频率和频段设计的,由于对频段之间的隔离和带外抑制特性要求越来越高,在实际实现滤波器(双工器)频率响应特性时,常采用不同交叉耦合形式结构的广义切比雪夫模型来等效实现,这样在非相邻腔之间根据不同场合的需要而引入不同性质的电容性或电感性交叉耦合。

同时,随着微波通讯系统的不断发展和更好地利用有限的频谱资源,新的通讯系统中常采用很近的频段间隔形成一个系列的通讯产品,为了能够使得产品具有更好的通用性,希望其中的滤波器(双工器)具有频段可移特性,可以从一个工作频段移到另一个工作频段,或者可以调节工作带宽的特性。而现有的滤波器(双工器)中的电容性交叉耦合结构形式不能满足可调特性,使之在移动频带或者改变带宽时,需要重新进行结构调整。

本设计是为频移、带宽可变滤波器(双工器)设计的一种可以连续调节交叉耦合幅值的设计方式。传统的带通滤波器(双工器),通常是由谐振腔体、盖板、谐振杆、调节螺杆和外部耦合部分等主要结构件组成。其中,磁耦合方式通过腔体间的窗口实现,而传统的电容性交叉耦合为腔体间的电场耦合,电容性交叉耦合结构形式常采用一个安装是在谐振腔壁上且与谐振腔壁绝缘的金属耦合杆或者耦合片(如图1至图2),由于其物理结构相对固定,其结构形式和耦合幅值不可调整,这种结构对频宽可变或频率可频移的滤波器有很大限制,当带宽一定的情况下很难在较宽的频率范围内移动。

发明内容

本实用新型的目的是为了解决上述背景技术存在的不足,提出一种结构更为优化的可调电容性耦合带通滤波器,使其能降低谐振腔体的技术要求,降低产品设计及调试难度,从而降低生产成本。

为实现上述目的本实用新型采用如下技术方案:一种可调电容性耦合带通滤波器,主要由谐振腔体、盖板、谐振杆、调节螺杆组成,在谐振腔体间设有磁耦合或电容性交叉耦合,其特征是在所要求的电容性交叉耦合的谐振腔体间,再增加可调磁交叉耦合。

所述可调磁交叉耦合为在耦合谐振腔体间增加一个窗口,在与该窗口对应的盖板上设置耦合螺杆。

所述腔体和盖板表面镀银、镀铜或镀镍。

所述谐振腔体间的磁耦合是设置在谐振腔体间的窗口,所述谐振腔体间的电容性交叉耦合采用一个安装是在谐振腔壁上且与谐振腔壁绝缘的金属耦合杆或者耦合片。

本实用新型所提出的可调电容性耦合是在传统的电容性耦合结构形式旁边加入一个可调感性耦合,此时腔体间的总耦合幅值为电容性加电感性之和,当感性耦合加强时,其总耦合幅值相应的减弱,这样可以通过调节感性交叉耦合幅值从而可以调节总的交叉耦合幅值。

本实用新型的设计是利用电耦合和磁耦合性质相反,相互抵消的原理实现的。在电耦合强于磁耦合的同一个交叉耦合点增加磁耦合,使得整体耦合向电耦合减弱的方向变化,则电耦合整体减弱、产生零点相对远离通带;反之电耦合增强、产生零点靠近通带。

本实用新型装配简单,耦合量尺寸容易保证,对材料和制作的要求低,降低设计难度和生产难度,减轻环境污染,同时由于对谐振腔体的要求降低,批量生产时可以直接采用压铸方法生产,生产成本更低。

附图说明

图1是传统型三腔带通滤波器交叉耦合结构图。

图2是传统型四腔带通滤波器交叉耦合结构图。

图3是传统型四腔带通滤波器盖板结构俯视图。

图4是本实用新型三腔带通滤波器交叉耦合结构图。

图5是本实用新型四腔带通滤波器交叉耦合结构图。

图6是本实用新型四腔带通滤波器盖板结构俯视图。

具体实施方式

参见图4至图6,本实施例主要由谐振腔体1、盖板2、谐振杆3、调节螺杆4、输入端、输出端等主要结构件组成,在谐振腔体1间设有磁耦合或电容性交叉耦合,在所要求的电容性交叉耦合的谐振腔体1间,再增加可调磁交叉耦合,所述可调磁交叉耦合为在耦合谐振腔体1间增加一个窗口5,在与该窗口5对应的盖板上设置可调节电容性交叉耦合螺杆6。

其中,谐振杆3用螺栓固定在镀银的谐振腔体1内表面上,盖板2也可以根据其自身材料的性质选择表面电镀或不电镀,可调节电容性交叉耦合螺杆6和其他调节螺杆4一样安装在盖板2上。谐振腔体1表面可以根据指标的定义来选择电镀或不电镀。本实用新型的腔体和盖板表面可以镀银、镀铜或镀镍。

所述谐振腔体间的磁耦合是设置在谐振腔体间的窗口7,所述谐振腔体间的电容性交叉耦合采用一个安装是在谐振腔壁上且与谐振腔壁绝缘的金属耦合杆8或者耦合片。

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