[实用新型]抗干扰低噪声柔软电力电缆无效

专利信息
申请号: 200820063668.0 申请日: 2008-06-04
公开(公告)号: CN201219049Y 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 沈智飞;盛业武;陈贵德;易国华;李勇军;朱丽芬 申请(专利权)人: 四川明星电缆有限公司
主分类号: H01B9/02 分类号: H01B9/02
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 代理人: 方 强
地址: 614001四川省乐*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 抗干扰 噪声 柔软 电力电缆
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种1kV及以下电压级电器用抗干扰低噪声柔软电力电缆,主要涉及一种抗干扰低噪声柔软电力电缆。

背景技术

现有技术中,由于电器设备(1kV及以下电压级电器)连接软电缆抗干扰要求的不断提高,不仅要求电缆本身不能产生干扰信号影响被连接电器,而且要求电缆不能产生干扰信号影响不相连接外围设施,所以要求电缆能有更完善的抗干扰结构。但目前这类电缆的抗干扰结构仅是在护套与绝缘间有铜丝编织等屏蔽层,它仅能够抑制电缆外部电磁场对电缆的干扰和抑制电缆内部电磁场对外的干扰,而不能够抑制电缆绝缘和导体间存在的摩擦信号噪声干扰导电线芯,从而使被连接电器受到干扰或失控。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述技术缺陷,提供一种抗干扰低噪声柔软电力电缆。本实用新型能够有效抑制电缆本体摩擦产生的火花信号噪声,保证被连接电器处没有微弱信号干扰,也不干扰其他电器。为实现上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:

抗干扰低噪声柔软电力电缆,由内向外依次包导体、绝缘层、屏蔽层和护套,其特征在于:所述导体与绝缘层之间的绝缘层内壁上设有硅橡胶半导体薄层;所述屏蔽层为单向镀锡铜丝缠绕结构屏蔽层。

所述绝缘层为软性硅橡胶绝缘层。

所述硅橡胶半导体薄层与软性硅橡胶绝缘层挤制密合,硅橡胶半导体薄层电阻率小于100欧姆-厘米,厚度小于0.2毫米。

所述屏蔽层的镀锡铜丝覆盖密度大于95%。

所述护套厚度小于1.1毫米。

本实用新型的优点在于:

1、本实用新型采用在低压电缆(即1kV及以下电压级电器用柔软连接电缆)绝缘层内壁挤制硅橡胶半导体薄层,该硅橡胶半导体薄层能使电缆绝缘内壁与导电线芯同电位,从而能够消除本体摩擦电位,如电缆绝缘和导体间摩擦,从而避免摩擦火花信号产生影响到导电线芯上。

2、另外绝缘层采用特别软性硅橡胶,使电缆高度柔软;护套与绝缘层之间采用镀锡铜丝编织,屏蔽层不采用交叉结构,而是采用单向缠绕结构,弯曲性能更好,电缆柔软度进一步提高,弯曲摩擦减少,火花信号干扰减少。单向缠绕铜丝屏蔽层覆盖密度大于95%,可以抑制电缆外部电磁场对电缆的干扰和电缆内部电磁场对外部的干扰,可保证被连接电器处没有微弱信号干扰,也不干扰其他电器,从而为高抗干扰电器求得了合适的连接电缆。

附图说明:

图1为本实用新型结构示意图。

图中标记:1、为导体,2为硅橡胶半导体薄层,3为绝缘层,4为屏蔽层,5为护套。

具体实施方式

抗干扰低噪声柔软电力电缆,由内向外依次包导体1、绝缘层3、屏蔽层4和护套5,所述导体1与绝缘层3之间的绝缘层内壁上设有硅橡胶半导体薄层2;所述屏蔽层4为单向镀锡铜丝缠绕结构屏蔽层。所述绝缘层3为软性硅橡胶绝缘层。所述硅橡胶半导体薄层2与软性硅橡胶绝缘层3挤制密合,硅橡胶半导体薄层3电阻率小于100欧姆-厘米,厚度小于0.2毫米。所述屏蔽层4的镀锡铜丝覆盖密度大于95%。所述护套5厚度小于1.1毫米。

在实用新型中,低压电缆(即1kV及以下电压级电器用柔软连接电缆)绝缘层内壁挤制硅橡胶半导体薄层,该硅橡胶半导体薄层能使电缆绝缘内壁与导电线芯同电位,从而能够消除本体摩擦电位,如电缆绝缘和导体间摩擦,从而避免摩擦火花信号产生影响到导电线芯上。另外绝缘层采用特别软性硅橡胶,使电缆高度柔软;护套与绝缘层之间采用镀锡铜丝编织,屏蔽层不采用交叉结构,而是采用单向缠绕结构,弯曲性能更好,电缆柔软度进一步提高,弯曲摩擦减少,火花信号干扰减少。单向缠绕铜丝屏蔽层覆盖密度大于95%,可以抑制电缆外部电磁场对电缆的干扰和电缆内部电磁场对外部的干扰,可保证被连接电器处没有微弱信号干扰,也不干扰其他电器,从而为高抗干扰电器求得了合适的连接电缆。

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