[实用新型]用于片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器的包封体

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种适合于表面贴装的电子元器件的包封结构，尤其涉及一种用于片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器的包封体，属于片式多层电子元器件的包封领域。

背景技术

片式多层压敏电阻器(简称VSR)主要用于IC芯片过压保护、ESD静电防护，片式多层陶瓷电容器(简称MLCC)广泛用于隔直流、耦合、旁路、滤波、谐振回路调谐、能量转换、控制电路中的时间常数等。目前广泛应用的片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器的外表面只有护片，均没有外包封层，存在以下问题：(1)由于没有外部包封层，潮气易侵入，而1100℃～1200℃中温烧结和低于1100℃低温烧结片式多层陶瓷电容器(MLCC)和片式多层压敏电阻器(VSR)的电极中银含量较高，受潮后银离子迁移加强，导致产品的绝缘性能下降严重，导致产品的可靠性较差。(2)三层电镀是以银为基底的，受潮后银离子迁移，导致绝缘电阻下降较严重，而低温烧结片式多层陶瓷电容器(MLCC)因没有包封层，所以其防潮性能差，一般不能适用于三层电镀；尤其对于片式多层压敏电阻器(VSR)，由于其表面导电，电镀后易短路，也不适用于三层电镀；(3)由于没有外包封层，对于片式多层陶瓷电容器(MLCC)，由于镀端包边产生了附加电容，所以影响了电容的容量精度；对于片式多层压敏电阻器(VSR)，由于镀端包边，使得电阻短路，所以影响了电阻的阻值精度。

发明内容

本实用新型的目的在于为了解决上述问题而提供一种用于片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器的包封体，这种结构可使片式多层陶瓷电容器或片式多层压敏电阻器的防潮性能和绝缘性能明显加强。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

在片式多层陶瓷电容器或片式多层压敏电阻器中除两个端电极以外的其它外表面紧贴包封有一层包封层。包封层主要有加强防潮性能和绝缘性能作用，可有效提高产品的可靠性和电容量与阻值精度。

作为本实用新型的最佳技术方案，所述包封层为连续的一体化玻璃釉包封层；其厚度为5--100微米。玻璃釉包封层一般采用960℃～1100℃高温烧结(也可增加400℃～960℃中、低温烧结)的方式，其防潮性能和绝缘性能非常高，可达到最好的绝缘效果。

本实用新型的有益效果在于：

(1)由于包封了玻璃釉后，提高了产品的防潮性能，减少了银离子迁移，故产品的绝缘性能得到了保障，从而使片式多层陶瓷电容器或片式多层压敏电阻器工作的可靠性明显提高；(2)由于绝缘性能得到大幅提高，所以适用于三层电镀；(3)由于表面包封了玻璃釉，对于片式多层陶瓷电容器(MLCC)来说，玻璃釉的介电常数低，降低了镀端包边产生的附加电容，从而提高了容量精度；而对于片式多层压敏电阻器(VSR)来说，包封玻璃釉后，表面绝缘，减少了由于镀端包边效用减少的短路电阻，从而提高了阻值精度。

附图说明

图1是本实用新型在一般端电极产品中应用的主视结构示意图；

图2是图1中的A-A剖视图；

图3是本实用新型在三层电镀端电极产品中应用的主视结构示意图；

图4是图3中的B-B剖视图；

图5是本实用新型在三层电镀端电极产品中应用的俯视结构示意图；

图6是图5中的C-C剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步具体说明：

图1和图2所示为本实用新型在一般端电极产品中的应用，在片式多层陶瓷电容器2(2也可以为片式多层压敏电阻器)中除两个端电极1以外的其它外表面紧贴包封有一层玻璃釉包封层3。玻璃釉包封层3有加强防潮性能和绝缘性能的作用，可有效提高产品的可靠性和阻值精度。在图2中，6为护片，5为钯银或纯银内电极，8为介质膜。具体而言，若2为片式多层陶瓷电容器，则8为陶瓷介质膜；若2为片式多层压敏电阻器，则8为金属氧化膜。

图3——图6所示为本实用新型在三层电镀端电极产品中的应用，在片式多层陶瓷电容器13(13也可以为片式多层压敏电阻器)中除两个端电极9以外的其它外表面紧贴包封有一层玻璃釉包封层3。玻璃釉包封层3有加强防潮性能和绝缘性能的作用，可有效提高产品的可靠性和阻值精度。在图4和图6中，6为护片，5为钯银或纯银内电极，8为介质膜。具体而言，若2为片式多层陶瓷电容器，则8为陶瓷介质膜；若2为片式多层压敏电阻器，则8为金属氧化膜。如图6所示，10——12分别为三层电镀层，其中，10为外层锡或锡铅电极，11为中层镍或铜电极，12为内层银或钯银电极。

在图2、图4和图6中，玻璃釉包封层3均为连续的一体化包封层，其厚度为5——100微米，根据实际需要确定。由于玻璃釉包封层3一般采用960℃～1100℃高温烧结(也可增加400℃～960℃中、低温烧结)的方式，所以其防潮性能和绝缘性能非常高，可达到最好的绝缘效果。