[实用新型]基片集成波导体效应二极管振荡器

权利要求书

1.基片集成波导体效应二极管振荡器，包括基片集成波导谐振电路、体效应二极管、包含一个高低阻抗线微带低通滤波器的直流偏置电路、基片集成波导导波结构(10)和基片集成波导到微带的转换电路，其特征在于，所述基片集成波导导波结构为平面结构，由设置于介质基板(1)内的两排金属化通孔(2)组成，且介质基板(1)的上下两个面为金属层，在基片集成波导导波结构内还设有用于安装体效应二极管的非金属化通孔(4)。

2.根据权利要求1所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述介质基板(1)内每排金属化通孔中至少设有两个金属化通孔(2)，且两排金属化通孔的数目相同。

3.根据权利要求1所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述各排金属化通孔中相邻金属化通孔(2)之间的距离等于金属化通孔(2)自身直径的两倍，或各排金属化通孔中相邻金属化通孔(2)之间的距离至少比金属化通孔(2)自身直径两倍还小于0.000001mm。

4.根据权利要求1所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述基片集成波导谐振电路包括串联和并联两种连接方式。

5.根据权利要求4所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述串联方式中，非金属化通孔(4)设置于基片集成波导导波结构(10)的边缘，并在基片集成波导导波结构(10)中心设有用于连接基片集成波导谐振电路的大金属化通孔(7)。

6.根据权利要求4所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述并联方式中，非金属化通孔(4)设置于基片集成波导导波结构(10)的中心，并通过非金属化通孔(4)将基片集成波导导波结构(10)与基片集成波导谐振电路连接。

7.根据权利要求5所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述非金属化通孔(4)外设有绝缘槽(5)。

8.根据权利要求6所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述非金属化通孔(4)外设有包围非金属化通孔的绝缘槽(5)。

9.根据权利要求1所述的基片集成波导体效应二极管振荡器，其特征在于，所述两排金属化通孔(2)分别设置于介质基板(1)的两个侧边边缘。