[实用新型]CMP边缘压敷环

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于半导体集成电路的制造器件，尤其涉及一种CMP边缘压敷环。

背景技术

在化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，简称CMP)的制作工艺过程中，硅片表面的氧化膜厚度的均匀性非常重要。硅片表面氧化膜厚度将会影响到电子器件的电性能参数，厚度不均匀会使同一硅片上制作出的器件性能产生差异，影响成品率。

化学机械研磨边缘压敷环(CHENICAL MECHICAL POLISHING RETAININGRING简称CMP边缘压敷环)已被证明会影响晶圆的品质和生产效率，不同厚度的CMP边缘压敷环在相同压力下对晶圆周边的研磨速率有较大影响。在CMP工艺过程中，CMP边缘压敷环会磨损而变薄，导致晶圆周边压力增加而使氧化膜变薄，影响晶圆品质。监控CMP边缘压敷环的厚度(也可称使用寿命)便十分重要，但是现在没有一种简单直观的方法判断CMP边缘压敷环的寿命，如果要测量CMP边缘压敷环的厚度，必须将其从设备上拆下，使用游标卡尺进行人工手动测量，造成设备停滞，这种方法存在滞后性和不准确性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种CMP边缘压敷环，通过目测即可简单有效地监控该CMP边缘压敷环的使用寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种CMP边缘压敷环，该CMP边缘压敷环上均匀分布有数条沟槽，在该CMP边缘压敷环的外周设以可观察的标记，该标记为该CMP边缘压敷环使用寿命的参考基准。

所述的标记可以是印刷记号、针孔、刻痕或压纹。

所述的刻痕可以是一环形槽。

所述的标记可以位于距所述的沟槽底部1mm处。

本实用新型通过在CMP边缘压敷环外周的有机材料上设可观察的标记(例如印刷记号、针孔、刻痕或压纹)，当CMP边缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先设的标记时，即可认为，该CMP边缘压敷环已达到使用寿命，使用了本实用新型的CMP边缘压敷环后，可用肉眼在设备上直接观察判断而不必将CMP边缘压敷环从设备上拆下，人工测量其厚度，可简单有效地监控CMP边缘压敷环的厚度，减少由于CMP边缘压敷环的厚度超过使用寿命而产生的周边异常。

附图说明

图1为现有的CMP边缘压敷环在使用过程中研磨速率的变化示意图；

图2为本实用新型CMP边缘压敷环实施例之一的俯视示意图；

图3为本实用新型CMP边缘压敷环实施例之一的截面示意图。

具体实施方式

在CMP工艺过程中，CMP边缘压敷环会因磨损而变薄，导致晶圆周边压力增加而导致氧化膜变薄，影响晶圆品质。当CMP边缘压敷环厚度薄到一个固定的值时，便不能再使用，这时其厚度称为最小厚度。如图1所示，在CMP边缘压敷环厚度超过最小厚度后，晶圆周边的研磨速率急剧上升，造成晶圆周边氧化膜厚度变薄，影响了电性参数。

如图2和图3所示，该实施例的CMP边缘压敷环上均匀分布有数条沟槽1，该沟槽1的槽宽3.2mm，槽深3.35mm，在距沟槽1底部1mm处，刻有一环形槽2作为标记，该环形槽2刻在该CMP边缘压敷环外周的有机材料3(如图2所示，该CMP边缘压敷环包括内部的钢衬底4及外周的有机材料3，该有机材料3可以采用塑料)上作为标记(本实施例中采用的标记是刻环形槽，当然不排除还可以将印刷记号、针孔或压纹等作为标记)。当CMP边缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先刻的标记时，即可认为，该CMP边缘压敷环已达到使用寿命。使用了本实用新型的CMP边缘压敷环后，可用肉眼在设备上直接观察判断而不必将CMP边缘压敷环从设备上拆下，人工测量其厚度，可简单有效地监控CMP边缘压敷环的厚度，减少由于CMP边缘压敷环的厚度超过使用寿命而产生的周边异常。

表1对采用本实用新型的CMP边缘压敷环与采用现有的CMP边缘压敷环在使用寿命(Lifetime)、便捷性、准确性、确认周期几方面进行比较。

表1