[实用新型]音频功放电路有效
| 申请号： | 200820059921.5 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN201226506Y | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张宇锋;曾泉 | 申请（专利权）人： | 上海韦矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦;朱水平 |
| 地址： | 200001上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 音频 功放 电路 | ||
【权利要求书】：
1、一种音频功放电路，其包括一第一功率放大器和一第二功率放大器，该第一功率放大器和第二功率放大器的正输入端共同连接一抑制电阻的一端，该抑制电阻的另一端与一第一电阻和一第二电阻连接，该第一电阻和一第二电阻之间并联连接，其特征在于，该第一电阻、第二电阻和抑制电阻之间串联一MOS管。
2、如权利要求1所述的音频功放电路，其特征在于，该MOS管的宽度和长度之比满足以下公式：
其中，W和L分别为MOS管的宽度和长度，μpCox为沟道长度调制系数，VGS为栅-源电压，Vth为阈值电压，R为MOS管的电阻值。
3、如权利要求1所述的音频功放电路，其特征在于，该MOS管为一PMOS管。
4、如权利要求3所述的音频功放电路，其特征在于，该PMOS管的栅极接地，漏极连接抑制电阻，衬底和源极与第一电阻和第二电阻连接。
5、如权利要求1所述的音频功放电路，其特征在于，该MOS管为一NMOS管。
6、如权利要求5所述的音频功放电路，其特征在于，该NMOS管的栅极连接一电源端，漏极连接抑制电阻，衬底接地，源极与第一电阻和第二电阻连接。
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