[实用新型]有源矩阵有机发光显示器件的驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种有源矩阵有机发光显示器件的驱动电路，尤其涉及一种改善有源矩阵有机发光显示器件寿命的驱动电路。

背景技术

有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，OLED具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

OLED可以用被动矩阵(PM)驱动，也可以用主动矩阵驱动(AM)。相比PM驱动，AM驱动具有显示的信息容量较大，功耗较低，器件寿命长，画面对比度高等优点。而PM驱动适用于低成本的、简单的显示器件。

在玻璃基板上制作的用于AM驱动OLED的器件，目前有多种类型的器件被尝试，包括非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)、微晶硅(u-Si)与低温多晶硅(LTPS)TFT以及采用其他材料的TFT器件如氧化锌TFT或者有机物材料TFT等。在商业化生产的实践中，a-Si是一种目前最广泛应用的可以大面积均匀且相对低成本成膜的材料，a-Si TFT成为大尺寸产品有竞争力的阵列基板器件。

TFT器件，包括a-Si、u-Si与LTPS TFT，长期工作在直流电压偏置状态下会发生器件特性的漂移，其中尤以a-Si TFT最为严重。TFT特性衰减主要是由于驱动OLED器件的TFT栅极置于正向偏置，沟道有电流流过，引起电荷被俘获在栅绝缘层中，并且在沟道半导体层中产生缺陷态，使TFT阈值电压发生漂移。如果不采取某种措施处理这种漂移，发生特性漂移的器件驱动OLED的电流下降，显示器件亮度降低，会导致器件过早失效。抑制TFT特性漂移是保证AMOLED画质，延长AMOLED寿命的重要手段。

为使像素显示与输入显示数据信息对应的亮度，需要对AMOLED像素进行编程。编程的方式有写入电压和写入电流两种方式，分别称为电压编程和电流编程。电流编程采用恒定电流写入的方式进行，由于数据线和像素内布线及器件存在寄生的电阻电容参数，像素内的OLED器件本身也存在较大的电容，因此电流编程所需时间与编程的电流值有直接的关系。在亮度值较小的时候，由于电流较小，有可能在访问一行像素的行扫描时间内不能完成正确编程。也就是说，电流编程需要较多的时间。由于现实器件是通过扫描像素行完成显示的，每一行的扫描时间受到限制，因此必须解决电流编程速度较慢的问题。

为抑制TFT，特别是a-Si TFT的特性衰减，已经有多种方案被提出。

一种方法是通过像素电路设计来补偿器件特性的漂移，如中国专利CN1532789A，CN1949342A所公开的技术。其中包括通过电流编程，在像素内设定合适的、反映了TFT器件特性漂移因素的电压偏置状态抑制器件漂移的影响。这种方法要增加像素的复杂度和器件数目，在AMOLED采用底部发光的情况下降低像素的开口率，同时，由于像素内器件数目增加，制作中像素失效的可能性增大，降低了显示器件制作的良率。在实际的应用中，像素电路需要外部系统驱动电路配合产生一定时序的信号工作，因此往往会同时增加系统驱动电路的复杂性。

另一种抑制TFT特性漂移的方法是由像素区外的系统电路产生与像素中TFT特性漂移程度对应的驱动信号，如中国专利CN1909042A，CN1977303A所公开的技术。其中像素电路以某种方式提供反馈给系统驱动电路，系统驱动电路根据反馈信息调整确定输出的驱动信号。

图1表示了一种现有技术的驱动方法。通过混合驱动电路向像素提供驱动电流，并采样与驱动电流相对应的驱动电压。在显示的时候结合输入的显示数据、驱动电流与采样电压来确定应该采用的驱动电压值，对像素用电压驱动的方式进行驱动。由于电流驱动补偿了像素中TFT特性漂移的影响，可以保证像素中OLED的电流值。同时，由于通过采样确定了对应驱动电流所需驱动电压数值，并采用电压驱动代替电流驱动，提高了对像素进行编程的速度。

驱动方法仍然需要采用电流编程的像素电路(尽管其实际驱动使用的是电压编程)，像素电路不能最简化。在设定编程电压信号的取样过程中，采用的是电流驱动信号，采样所需时间较长，可能需要利用不同于正常显示时编程的时序。系统中编程与采样都利用显示区域的像素来实现，由于像素分布不同，反馈信息会受到连线寄生电阻电容的影响，从而对相同的灰度可能由于采样像素的不同得到不同的采样结果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种改善有源矩阵有机发光显示器件寿命的驱动电路，既保证显示像素可以使用最简化的设计，又不会使行扫描电路变得复杂。