[实用新型]探针诱导光刻薄膜无效

专利信息
申请号: 200820056586.3 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN201174029Y 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 李小刚;洪小刚;赵成强;王阳;徐文东;唐晓东 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G03F7/09 分类号: G03F7/09;G03F7/06;G03F7/075;G03F7/20;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 探针 诱导 光刻 薄膜
【权利要求书】:

1、一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜,特征在于其结构由沉积于玻璃基底(4)上的直写光刻材料层(1)、介质层(2)和表面等离子体共振层(3)组成,所述的直写光刻材料层由AgOx或NiOy组成;所述的介质层由SiO2组成;所述的表面等离子体共振层由Ag组成。

2、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的AgOx,其中x≤1,通过控制磁控溅射所采用的O2∶Ar气体流量比来实现的,AgOx的成分是Ag、AgO和Ag2O的混合物。

3、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的NiOy,其中y≤3/2,是通过控制磁控溅射时的O2∶Ar气体流量比来实现的,其成分是NiO和Ni2O3的混合物。

4、根据权利要求1、2或3所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的厚度为10-100nm。

5、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的介质层的厚度为10-80nm。

6、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的表面等离子体共振层的厚度为20-100nm。

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