[实用新型]探针诱导光刻薄膜无效
申请号: | 200820056586.3 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN201174029Y | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 李小刚;洪小刚;赵成强;王阳;徐文东;唐晓东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;G03F7/06;G03F7/075;G03F7/20;C23C14/35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探针 诱导 光刻 薄膜 | ||
1、一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜,特征在于其结构由沉积于玻璃基底(4)上的直写光刻材料层(1)、介质层(2)和表面等离子体共振层(3)组成,所述的直写光刻材料层由AgOx或NiOy组成;所述的介质层由SiO2组成;所述的表面等离子体共振层由Ag组成。
2、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的AgOx,其中x≤1,通过控制磁控溅射所采用的O2∶Ar气体流量比来实现的,AgOx的成分是Ag、AgO和Ag2O的混合物。
3、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的NiOy,其中y≤3/2,是通过控制磁控溅射时的O2∶Ar气体流量比来实现的,其成分是NiO和Ni2O3的混合物。
4、根据权利要求1、2或3所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的直写光刻材料层的厚度为10-100nm。
5、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的介质层的厚度为10-80nm。
6、根据权利要求1所述的探针诱导光刻薄膜,其特征在于所述的表面等离子体共振层的厚度为20-100nm。
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