[实用新型]多晶硅铸锭炉有效
| 申请号： | 200820056088.9 | 申请日： | 2008-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201162068Y | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 河野贵之;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C01B33/02;B22D27/04 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 200444上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 铸锭 | ||
1.多晶硅铸锭炉，包括：
一腔体；
位于所述的腔体内的坩埚，所述的坩埚用于装入硅；
位于所述腔体内且设置在所述坩埚四周的隔热材料；
设置在所述隔热材料内的加热器；所述加热器对装入所述的坩埚内的硅进行加热；其特征在于，还包括：
设置在所述的坩埚下部并位于所述的隔热材料内的冷却装置。
2.如权利要求1所述的多晶硅制造装置，其特征在于，所述的冷却装置上设置有一驱动所述的冷却装置运动的第二移动装置。
3.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的第二移动装置贯穿所述的坩埚下部的隔热材料并驱动所述的冷却装置垂直方向运动。
4.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的隔热材料包含一位于所述的坩埚下部的隔热材料，在所述位于所述的坩埚下部的隔热材料上设置有能够窥视所述坩埚内部的间隙。
5.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的加热器与一控制电路连接，所述的控制电路控制所述的加热器的输出。
6.如权利要求1或5所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的加热器包括位于所述的坩埚上面和侧面的加热器。
7.如权利要求4所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的间隙为多个。
8.如权利要求4任一项权利要求所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的位于所述的坩埚下部的隔热材料上设置有一驱动位于所述的坩埚下部的隔热材料进行垂直方向运动的第一移动装置。
9.如权利要求6所述的多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述的侧面的加热器设置于比所述的硅的底部高的位置上。
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