[实用新型]液晶显示装置及其像素结构无效
申请号: | 200820055870.9 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN201222151Y | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 沈奇奇;吴宾宾 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;G09G3/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,其特征在于包括:
一第一扫描线,配置于一基板上;
一第二扫描线,配置于所述基板上;
一数据线,配置于所述基板上;
一第一薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一扫描线与所述数据线,且所述第一薄膜晶体管具有一第一漏极;
一第一像素电极,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一漏极;
一第二薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一扫描线与所述数据线,且所述第二薄膜晶体管具有一第二漏极;
一第二像素电极,配置于所述基板上,并电性连接至所述第二漏极;
一第三薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第二扫描线与所述数据线,且所述第三薄膜晶体管具有一第三漏极;
一电荷共享电容,配置于所述基板上,并电性连接至所述第三漏极;
一第四薄膜晶体管,配置于所述基板上,所述第四薄膜晶体管的源极和漏极其中一个连接所述第二像素电极,另一个连接所述电荷共享电容,所述第四薄膜晶体管的栅极连接至一辅助扫描线。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述辅助扫描线为驱动次序在后的另一像素结构的第一扫描线。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是邻近于所述第一扫描线和所述数据线的交叉部位。
4.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管具有一共用源极。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管是邻近于所述第一扫描线和所述数据线的交叉部位。
6.一种液晶显示装置,其特征在于包括:
第一扫描驱动器,提供液晶显示装置的各像素的第一扫描驱动信号;
第二扫描驱动器,提供液晶显示装置的各像素的第二扫描驱动信号;
数据驱动器,提供液晶显示装置的各像素的数据信号;
一薄膜晶体管阵列基板,其上配置有多个像素结构,其中每一像素结构包括:
一第一扫描线,配置于所述基板上,并电连接至所述第一扫描驱动器;
一第二扫描线,配置于所述基板上,并电连接至所述第二扫描驱动器;
一数据线,配置于所述基板上;
一第一薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一扫描线与所述数据线,且所述第一薄膜晶体管具有一第一漏极;
一第一像素电极,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一漏极;
一第二薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第一扫描线与所述数据线,且所述第二薄膜晶体管具有一第二漏极;
一第二像素电极,配置于所述基板上,并电性连接至所述第二漏极;
一第三薄膜晶体管,配置于所述基板上,并电性连接至所述第二扫描线与所述数据线,且所述第三薄膜晶体管具有一第三漏极;
一电荷共享电容,配置于所述基板上,并电性连接至所述第三漏极;
一第四薄膜晶体管,配置于所述基板上,所述第四薄膜晶体管的源极和漏极其中一个连接所述第二像素电极,另一个连接所述电荷共享电容,所述第四薄膜晶体管的栅极连接至驱动次序在后的另一像素结构的第一扫描线;
其中至少部分像素结构的第二扫描线是连接一共同的第二扫描驱动信号。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板上的所述像素结构划分为多个区域,每一区域内的所述第二扫描线连接共同的第二扫描驱动信号。
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