[实用新型]一种高导通电压正装LED集成芯片无效
| 申请号： | 200820051161.3 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN201262957Y | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 压正装 led 集成 芯片 | ||
1、一种高导通电压正装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面生成有导热绝缘层，所述导热绝缘层上沉积有金属层(6)，若干个所述LED裸芯片(1)正装在各所述金属层(6)上并通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述金属层(6)引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。
2、根据权利要求1所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面向内扩散有一层N+扩散层(3)。
3、根据权利要求1或2所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)为单电极芯片，所述衬底(10)为砷化镓或碳化硅衬底，所述衬底(10)用银浆或锡粘合在所述金属层(6)上，所述LED裸芯片(1)的电极接点通过金属线(41)焊接在相邻的一个所述金属层(6)上。
4、根据权利要求1或2所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)为双电极芯片，所述衬底(10)为氧化铝衬底，所述衬底(10)用银浆或锡粘合在所述金属层(6)上，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过金属线(43、45)焊接在相邻的两个所述金属层(6)上。
5、根据权利要求1或2所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的背面还设有由一层或多层金属构成的散热层(7)。
6、根据权利要求1或2所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述导热绝缘层由二氧化硅层或氮化硅层或氮化硅层与二氧化硅层组合构成。
7、根据权利要求1或2所述的高导通电压正装LED集成芯片，其特征在于：所述金属层(6)的外表面为反光面，所述硅衬底(2)为P型或N型，所述金属层(6)为铝或铜或硅铝合金，若干个所述LED裸芯片(1)之间串联或并联或串并联组合连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州南科集成电子有限公司，未经广州南科集成电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820051161.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能背心
- 下一篇：荧光节能灯总装流水线用自动转角机械手
- 同类专利
- 专利分类
