[实用新型]一种高导通电压倒装LED集成芯片无效
| 申请号： | 200820048933.8 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN201222499Y | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 压倒 led 集成 芯片 | ||
1、一种高导通电压倒装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面沉积有导热绝缘层II(5)，所述导热绝缘层II(5)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)对应的所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路。
2、根据权利要求1所述的高导通电压倒装LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面向内扩散有一层N+扩散层(3)。
3、一种高导通电压倒装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面向内扩散有一层N+扩散层(3)，所述N+扩散层(3)上生长有一层导热绝缘层I(4)，所述导热绝缘层I(4)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)对应的所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路。
4、根据权利要求3所述的高导通电压倒装LED集成芯片，其特征在于：所述导热绝缘层I(4)与所述金属层(6)之间沉积有导热绝缘层II(5)。
5、根据权利要求1或2或4所述的高导通电压倒装LED集成芯片，其特征在于：所述导热绝缘层II(5)由氮化硅层或二氧化硅层或氮化硅层与二氧化硅层组合构成。
6、根据权利要求1或2或3或4所述的高导通电压倒装LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的背面还有由一层或多层金属构成的散热层(7)。
7、根据权利要求1或2或3或4所述的高导通电压倒装LED集成芯片，其特征在于：所述金属层(6)的外表面为反光面，所述硅衬底(2)为P型或N型，所述焊球(80、81)为金球栓或铜球栓或锡球，所述金属层(6)为铝或铜或硅铝合金，若干个所述LED裸芯片(1)之间串联或并联或串并联组合连接。
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