[实用新型]全自动气体置换装置无效
| 申请号: | 200820046802.6 | 申请日: | 2008-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN201232084Y | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
| 发明(设计)人: | 彭燕丰 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 | 代理人: | 侯来旺 |
| 地址: | 518000广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 全自动 气体 置换 装置 | ||
技术领域
本实用新型主要涉及一种气体置换装置,尤其是指一种全自动气体置换装置。
背景技术
一般化学汽相沉积法乃利用化学反应的方式在反应腔室内将反应物(通常为气体)生成固态的生成物,并沉积在晶片表面的一种薄膜沉积技术,而这些反应气体的能量来源可能为电浆或加热的方式,抑或利用雷射来裂解气体分子,当气体分子产生化学反应,且在重新排列组合成固态物质之后,就可沉积到晶片表面上。
(请参阅图1)已知技术会将腔室10连接一条氮气管路12,由于为了降低制程设备的制作成本,腔室10之生产模式所用的氮气管路12与清洁模式所用的氮气管路12必须为同一条,不过生产模式与清洁模式所通的氮气浓度不一样,一般生产模式要利用浓度较高的氮气来对晶片表面进行化学气相沉积技术,而清洁模式仅需利用浓度较低的氮气对整个腔室10做清洁,另外又用一控制程式控制上述管路,使管路内的气体配合腔室之生产模式与清洁模式,但是后来在长期使用下发现,制程生产成本逐年增加,减少公司获利,而且氮气其实是一种窒息性气体,当维修人员对腔室进行维修之时,氮气将会危害到维修人员的健康。
发明内容
本实用新型之主要目的在于,提供一种全自动气体置换装置,其系可以减少制程生产的成本。
本实用新型之另一目的在于,提供一种全自动气体置换装置,其系可降低维修人员的危险。
为达上述目的,本实用新型提供一种全自动气体置换装置,其包含一腔室,其系连接氮气管路与压缩空气管路,氮气管路将氮气送入腔室中,以供腔室进行生产模式,而压缩空气管路将压缩空气送入腔室中,以供腔室进行清洁模式。
本实用新型的有益效果为:提供一种全自动气体置换装置,其包含一腔室,其系连接氮气管路与压缩空气管路,氮气管路将氮气送入腔室中,以供腔室进行生产模式,而压缩空气管路将压缩空气送入腔室中,以供腔室进行清洁模式,以达到减少制程生产的成本、降低维修人员的危险的效果。
附图说明
图1为背景技术之装置结构示意图。
图2为本实用新型之装置结构示意图。
图3为本实用新型安装于生产线上之装置结构示意图。
图4为本实用新型之方法流程示意图
具体实施方式
(请参阅图2)一种全自动气体置换装置,其包含一腔室16,其系连接氮气管路18与压缩空气管路20,氮气管路18连接氮气供应源22,并将氮气送入腔室16中,以供腔室16进行生产模式,而压缩空气管路20连接压缩空供应源24,并将压缩空气送入腔室16中,以供腔室16进行清洁模式,其生产模式系将置于腔室16内之半导体基板与氮气利用化学汽相沉积法在基板上形成一层磊晶层,半导体基板可为P型或N型,而清洁模式系利用压缩空气将腔室16内的杂质清除;第一阀门26与第二阀门28系分别设置在氮气管路18与压缩空气管路20上,分别控制氮气与压缩空气是否送入腔室16中,而第一电磁开关30与第二电磁开关32系分别控制第一阀门26与第二阀门28之开放与关闭,另外还有一控制单元,也就是一控制程式,用来控制第一电磁开关30与第二电磁开关32之作动,当腔室16需进行生产模式时,控制单元可控制第一电磁开关30,进而开放第一阀门26,让氮气送入腔室16中,同时控制第二电磁开关32,进而关闭第二阀门28,让压缩空气无法送入腔室16中,另当腔室16需进行清洁模式时,控制单元可控制第一电磁开关30,进而关闭第一阀门26,让氮气无法送入腔室16中,同时控制第二电磁开关32,进而开放第二阀门28,让压缩空气送入腔室16中;腔室16有连接一抽气管路36,抽气管路36可将腔室16中的气体抽出,在抽气管路36上并设置一节流阀38与一真空阀40,真空阀40用来控制腔室16内之气体是否经由抽气管路36抽出,而节流阀38用来控制抽气管路36中气体的流量大小,另在腔室16上亦设置一压力计34,可用来量测腔室16内之气体压力。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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