[实用新型]电子负载模拟电路无效
申请号: | 200820044634.7 | 申请日: | 2008-03-07 |
公开(公告)号: | CN201170798Y | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 尤明政 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
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地址: | 528308广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子负载 模拟 电路 | ||
【技术领域】
本实用新型有关一种模拟纯电阻的电子负载电路,其在电路板电源关断的瞬间相应变化阻值,以平滑下冲波形。
【背景技术】
一般而言,在对电路板,尤其是母板进行VRD(Voltage Regulation Down,电压调节规范)测试时会使用电子负载来加载。因电子负载及过长的负载线所产生的电感效应,导致该电路板电源关断的瞬间该电子负载两端的电压出现下冲(Undershoot),在波形上显示为负电压谷值,此情形在做大电流测试时会更加明显,且过分的下冲能够引起假时钟,进而引起测试数据错误(误操作)。
鉴于上述,实有必要开发一种电子负载模拟电路,在电路板电源关断瞬间相应变化阻值,平滑由电感效应引起的下冲波形。
【发明内容】
因此,本实用新型的目的即提供一种电子负载模拟电路,加载于电路板的负载端之间,在该电路板电源关断瞬间相应变化阻值,平滑由电感效应引起的下冲波形。
为达成上述目的,本实用新型提供一种电子负载模拟电路,耦接于电路板的负载端,其中一负载端耦合二并联电阻一端,这些并联电阻另一端分别连接一N-MOS场效应管漏极,这些N-MOS场效应管源极连接另一负载端并接地,栅极分别耦接一电压比较器输出端,这些电压比较器同相输入端分别通过串接一电阻耦接驱动电压,反相输入端耦合一直流电压源,正电源端耦合正电压电源,负电源端接地。如此当电路板正常工作或电源关断瞬间,其中至少一驱动电压高于等于或低于直流电压源电平,与该驱动电压对应的电压比较器控制对应的N-MOS场效应管导通或截止,对应的并联电阻接入或断开于该负载端之间,则该电路的输出阻值即负载端电压相应变化,平滑下冲波形。
与现有技术相比,本实用新型利用纯电阻电路代替目前市场上的电子负载加载于电路板的负载端,在该电路板电源关断负载端电压出现下冲波形的瞬间,该电路的输出阻值变化,则负载端之间的电压上升,从而达到平滑下冲波形的目的。
【附图说明】
图1为本实用新型的电子负载模拟电路的电路图。
【具体实施方式】
参阅图1,为本实用新型的电子负载模拟电路的电路图,该电路耦接于电路板3的二负载端31、32,其中,该一负载端31耦合n(n=2,3,…N)个并联电阻一端,本实施例中为二并联电阻R1、R2,这些并联电阻R1、R2另一端分别连接一N沟道MOS场效应管(本实施例为N沟道耗尽型场效应管)Q1、Q2的漏极D1、D2,这些N-MOS场效应管Q1、Q2的源极S1、S2连接另一负载端32并接地,且这些N-MOS场效应管Q1、Q2的栅极G1、G2分别耦接一电压比较器1、2的输出端11、21,这些电压比较器1、2的同相输入端13、23分别通过串接一电阻R3、R4耦接外部驱动电压EN1、EN2,且该同相输入端13、23还分别耦合一滤波电容C1、C2至地,该电压比较器1、2的反相输入端12、22耦合一直流电压源DC,正电源端14、24耦合一正电压电源VCC,该正电压电源VCC还耦合滤波电容C至地,负电源端15、25接地。
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