[实用新型]抗晃电延时释放接触器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种接触器，尤其是涉及一种具有抗晃电延时释放功能的接触器，属于交直流接触器、继电器、高低压断路器类电路开关控制器件技术领域。

背景技术

永磁式接触器由于具有故障源少、噪音小、操作能耗低等显著优点，近年来受到普遍关注。其典型结构为：在磁轭构成的壳架中安装永磁体和电磁线圈，线圈中安置可在两个稳定位置间运动的衔铁，通过脉冲励磁电路对可控硅控制电容的充放电，使在电磁线圈上产生正、反电脉冲，进而分别产生与永久磁铁同向或反向的磁场时，衔铁将分别运动到两稳定位置，从而带动执行构件实现所需的电路分、合控制。

图1是现有技术的永磁式接触器脉冲励磁电路原理图，如图1所示，现有的永磁式接触器的脉冲励磁电路，主要包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发电路跨接在正向励磁可控硅DG1的正极和触发极之间；正向励磁可控硅DG1的输出通过充放电电路的线圈L和电容C4、C5构成正向励磁回路；第二压敏电阻YR2的标定电压要小于第一压敏电阻YR1，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极管Q1的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅DG2的负极和触发极之间，反向励磁可控硅DG2的输出通过充放电电路的电容C4、C5和线圈L构成反向励磁回路。

上述脉冲励磁电路借助取样电路控制的三极管Q1钳位反向励磁可控硅DG2，并利用第一压敏电阻YR1和第二压敏电阻YR2的差值，确保了在执行构件分、合操作中正、反电脉冲的可控硅不会同时导通，保证了脉冲励磁电路的可靠性及抗干扰能力；其次，通过衔铁、磁轭结构以及运动位置关系的改变，简化了结构，保证了操动机构合闸控制位置状态的稳定可靠。

虽然上述的永磁式接触器脉冲励磁电路具有诸多优点，但是由于电路中电容C3容量较小，只能起到滤波作用，在电路突然瞬间断电的情况下，其向外释放的电量较小，不能维持三极管Q1基级的电压，反向可控硅DG2因电压降低而导通，使得接触器立即释放，抗晃电(电路瞬时断电)功能较差。

实用新型内容

为解决上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种具有较好的抗晃电功能的接触器，可以控制接触器延时释放。

为实现上述目的，本实用新型是通过以下的技术方案来实现的：

一种抗晃电延时释放接触器，包括永磁体、磁轭、线圈、衔铁和脉冲励磁电路，所述的脉冲励磁电路包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发电路跨接在正向励磁可控硅的正极和触发极之间；正向励磁可控硅的输出通过充放电电路的线圈和电容构成正向励磁回路；第二压敏电阻的标定电压要小于第一压敏电阻，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极管的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅的负极和触发极之间，反向励磁可控硅的输出通过充放电电路的电容和线圈构成反向励磁回路；其特征在于在所述的脉冲励磁电路的取样电路中增设两个电容，所述增设的两个电容与原来的电容并联。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述的增设的两个电容的容量大于原来的电容的容量。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述取样电路输入端与地之间接电阻构成的吸收电网干扰杂波电路。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述正向励磁可控硅的负极和触发极之间接反向偏压二极管。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述正向励磁可控硅与线圈旁并联用以保持放电电压的电阻。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述线圈两端并联第三压敏电阻。

前述的抗晃电延时释放接触器，其特征在于所述充放电电路的电容旁分别并联一只电阻。