[实用新型]一种多级干式真空泵的清洗装置有效
申请号: | 200820013365.8 | 申请日: | 2008-06-06 |
公开(公告)号: | CN201200981Y | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 王光玉;秦佰林;房伟;刘在行 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
主分类号: | B08B5/00 | 分类号: | B08B5/00;B08B5/02 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110168辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 真空泵 清洗 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及真空泵清洗技术,具体地说是一种多级干式真空泵的清洗装置。
背景技术
随着半导体工业、电子工业的蓬勃兴起,对于真空环境的要求越来越多、越来越严格。由于由普通的油封机械泵、扩散泵所组成的真空系统易于向真空室中返油,真空室中的油分子会在硅片晶体上沉积,使硅晶体成为废品。所以这样的真空系统在半导体工业、电子工业中的应用受到了限制。相反,由于干式真空泵不需要润滑油来润滑密封,做到了无油蒸汽污染,而且对被抽气体中含有的灰尘和水蒸气不敏感。所以,由干式真空泵组成的真空系统得到了广泛的应用,并在半导体工业、电子工业的发展过程中起到了推动的作用。
由于在半导体工艺(特别是中等工艺、苛刻工艺,例如离子注入源、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)等)中会产生大量的有毒以及腐蚀性气体(例如氨气、甲烷等),这些气体通过干泵的腔体经排气口排出。由于这些气体对人体的毒害非常大,对设备的腐蚀性也非常强,因此避免废气对干式真空泵的腐蚀,将产生的废气进行稀释从而达到保护人体以及设备的安全,已成为亟待解决的问题。
实用新型内容
为了解决干式真空泵被废气腐蚀的问题,本实用新型的目的在于提供一种多级干式真空泵的清洗装置,解决了在半导体工艺中产生的废气对干式真空泵的腐蚀问题,减少了毒害气体对人体的伤害,起到对泵体气冷(通过氮气吹扫功能使泵冷却)作用。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
本实用新型包括减压阀、质量流量控制器、电磁阀及气体管路,减压阀的一端与气体输入端相连,另一端连接有质量流量控制器;气体管路分为封闭独立的第一部分及第二部分,质量流量控制器的输出端分为两路、分别与气体管路的第一、二部分相连接;质量流量控制器与气体管路连接的每一路均设有电磁阀;气体管路中的第一部分与干式真空泵的一级腔体相连接,第二部分分别与干式真空泵的二~五腔体连接。
其中:所述气体管路中的第一部分上连接有连接管,连接管的另一端通过气路头、通孔螺钉与干式真空泵的一级腔体相连接,在连接管上设有单向阀;单向阀为单向节流阀;所述气体管路中的第二部分上连接有四根连接管,每根连接管的另一端均通过气路头、通孔螺钉与干式真空泵的二~五腔体连接,在每根连接管上均设有单向阀;单向阀为单向节流阀;所述气体管路中设有封堵,将气体管路分为封闭独立的第一部分及第二部分;所述减压阀通过快卸接头与气体输入端相连接。
本实用新型的优点与积极效果为:
1.本实用新型与多级干式真空泵的每一级腔体均有连接,对每一级腔体均起到了清洗作用,清洗彻底。
2.本实用新型采用质量流量控制器的输出信号来时时显示能入干式真空泵腔体N2流量的数值,采用减压阀调节N2流量大小,采用电磁阀控制N2的通断,控制简单、准确。
3.本实用新型对应不同的真空级腔体充入的N2流量不同,防止了由于充入N2而造成真空底降低。
4.本实用新型在管路上设置了单向阀,防止气体返流;单向阀可为单向节流阀,采用限流的方式来控制通入每一级腔体内的N2大小。
5.本实用新型采用电气控制N2流量,对于真空度影响极小。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型质量流量检测的电路原理图;
图3为本实用新型电磁阀控制的电路原理图;
图4为本实用新型的控制流程图;
其中:1为减压阀,2为质量流量控制器,3为第一电磁阀,4为气体管路,5为单向阀,6为气路头,7为通孔螺钉,8为第二电磁阀,9为封堵,10为第一部分,11为第二部分,12为连接管。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详述。
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