[实用新型]具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件无效
| 申请号： | 200820005735.3 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN201174285Y | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 苏圣富;巫宜燐 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/13 | 分类号： | H01C7/13;H01T4/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 张应;吴兰柱 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电流 保护 静电 功能 芯片 陶瓷 组件 | ||
1.一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，在一基材的表面设置一层内电极，该内电极的局部上方印刷有保护层，基材的两侧并有端电极；其特征在于：
所述的内电极，沿着基板的一方向上设有一开口，开口内部填入热敏电阻材料，热敏电阻材料的上端设一保护层，以提供过电流保护；所述的内电极，其沿着基板的另一方向上复设有一间隙开口，该间隙开口的上方设一提供静电放电保护的保护层。
2.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护之间隙开口，该间隙开口的距离为1～100μm。
3.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护的间隙开口，设于内电极的短方向上。
4.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护之间隙开口，为平口状开口或尖端状开口。
5.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为过电流保护的开口，设于内电极的长方向上。
6.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述的内电极，为T形电极。
7.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述的内电极，为十字形电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳邦科技股份有限公司，未经佳邦科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820005735.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种倒刺刷毛的牙刷
- 下一篇：飞机机轮刹车副结构强度检测装置
