[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200810306564.2 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101771025A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 古金龙;阮青海 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其包括一发光二极管芯片、一承载芯片的基座、与芯片配合的荧光粉及一包封芯片及荧光粉的封罩，其特征在于：该发光二极管还包括另一芯片及与该另一芯片配合的另一荧光粉，该另一荧光粉的量多于该荧光粉。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉及另一荧光粉分别涂抹于该芯片及另一芯片的表面。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其还包括二次级封罩，该二次级封罩分别包封该芯片及另一芯片并被该封罩所包覆。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉及另一荧光粉分别掺入至二次级封罩内。
5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉及另一荧光粉分别涂敷于二次级封罩的外表面。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：每一次级封罩的折射率大于该封罩的折射率。
7.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该二次级封罩的尺寸不同。
8.如权利要求1至7任一项所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉及另一荧光粉的浓度相同。
9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉及另一荧光粉的浓度不同。
10.如权利要求1至7任一项所述的发光二极管，还包括分别将该芯片及另一芯片电性连接至基座的螺旋状的金线。
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