[发明专利]半导体光电元件

权利要求书

1.一种半导体光电元件，其包括：一个基板和一个磊晶结构层，该 磊晶结构层位于所述基板之上，该磊晶结构层包括一个N型半导体 层、一个第一P型半导体层以及一个多重量子井结构层，该N型半 导体层所用材料的化学通式为Al_aIn_bGa_1-a-bN,其中，a≧0,b≧0,1 ≧a+b≧0，该第一P型半导体层所用材料的化学通式为 Al_cIn_dGa_1-c-dN,其中，c≧0,d≧0,1≧c+d≧0，该多重量子井结构层 设置在该N型半导体层与该第一P型半导体层之间，该多重量子井 结构层所用材料的化学通式为Al_xIn_yGa_1-x-yN,其中，x≧0,y≧0,1 ≧x+y≧0，其特征在于：

该磊晶结构层进一步包括一个未掺杂的半导体层，该未掺杂的半导 体层设置在该N型半导体层与该多重量子井结构层之间，该未掺杂 的半导体层所用材料的化学通式为：Al_rIn_sGa_1-r-sN,其中，r＞0,s ≧0,1≧r+s＞0,该未掺杂的半导体层中Al的含量为：大于或等于 5%，小于或等于20%，且该未掺杂的半导体层的位垒层能阶高于该 多重量子井结构层的位垒层能阶，该未掺杂的半导体层的能阶该高 于N型半导体层的能阶，该未掺杂的半导体层的厚度大于或等于 1nm且小于或等于50nm，该未掺杂的半导体层降低该半导体光电元 件在施加逆向偏压下产生的暗电流。

2.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该未掺杂的 半导体层的厚度为大于等于1nm且小于等于50nm。

3.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该磊晶结构 层进一步包括一个第二P型半导体层，该第二P型半导体层设置在 该第一P型半导体层与该多重量子井结构层之间，该第二P型半导 体层所用材料的化学通式为：Al_wGa_1-wN，其中，1＞w≧0。

4.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该半导体光 电元件为一个光检测元件。

5.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该半导体光 电元件为一个发光二极管。

6.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该基板具有 导电性。

7.如权利要求6所述的半导体光电元件，其特征在于，该基板的材 料包括铜、铜钨、硅、碳化硅或铝。

8.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该基板为蓝 宝石基板。

9.如权利要求1所述的半导体光电元件，其特征在于，该半导体元 件进一步包括一个反射层，该反射层位于该基板与该第一P型半导 体层之间。

10.如权利要求9所述的半导体光电元件，其特征在于，该反射层的 材料包括铂、银或铝。