[发明专利]铜核层多层封装基板的制作方法有效
| 申请号: | 200810304559.8 | 申请日: | 2008-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN101677068A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 林文强;王家忠;陈振重 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/44;H05K3/46 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
| 地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铜核层 多层 封装 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铜核层多层封装基板的制作方法,尤指一种以铜核基板为基础,开始制作的单面、多层封装基板的制作方法。
背景技术
在一般多层封装基板的制作上,其制作方式通常由一核心基板开始,经过钻孔、电镀金属、塞孔及双面线路制作等方式,完成一双面结构的内层核心板,的后再经由一线路增层制程完成一多层封装基板。如图21所示,其为一有核层封装基板的剖面示意图。首先,准备一核心基板50,其中,该核心基板50由一具预定厚度的芯层501及形成于此芯层501表面的线路层502所构成,且该芯层501中形成有数个电镀导通孔503,可藉以连接该芯层501表面的线路层502。
接着如图22~图25所示,对该核心基板50实施线路增层制程。首先,系于该核心基板50表面形成一第一介电层51,且该第一介电层51表面形成有数个第一开口52,以露出该线路层502;之后,以无电电镀与电镀等方式于该第一介电层51外露的表面形成一晶种层53,并于该晶种层53上形成一图案化阻层54,且其图案化阻层54中有数个第二开口55,以露出部分欲形成图案化线路的晶种层53;接着,利用电镀方式于该第二开口55中形成一第一图案化线路层56及数个导电盲孔57,并使其第一图案化线路层56得以透过该数个导电盲孔57与该核心基板50的线路层502做电性导通,然后再移除该图案化阻层54与蚀刻,待完成后系形成一第一线路增层结构5a。同样地,该法系可于该第一线路增层结构5a的最外层表面再运用相同的方式形成一第二介电层58及一第二图案化线路层59的第二线路增层结构5b,以逐步增层方式形成一多层封装基板。然而,此种制作方法有布线密度低、层数多及流程复杂等缺点。
另外,亦有利用厚铜金属板当核心材料的方法,可经过蚀刻及塞孔等方式完成一内层核心板后,再经由一线路增层制程以完成一多层封装基板。如图26~图28所示,其为另一有核层封装基板的剖面示意图。首先,准备一核心基板60,该核心基板60由一具预定厚度的金属层利用蚀刻与树脂塞孔601以及钻孔与电镀通孔602等方式形成的单层铜核心基板60;之后,利用上述线路增层方式,于该核心基板60表面形成一第一介电层61及一第一图案化线路层62,藉此构成一具第一线路增层结构6a。该法亦与上述方法相同,系可再利用一次线路增层方式于该第一线路增层结构6a的最外层表面形成一第二介电层63及一第二图案化线路层64,藉此构成一具第二线路增层结构6b,以逐步增层方式形成一多层封装基板。然而,此种制作方法不仅其铜核心基板制作不易,且亦与上述方法相同,具有布线密度低及流程复杂等缺点。故,一般已用者无法符合使用者于实际使用时所需。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对现有技术的不足,提供一种可依实际需求形成具铜核基板支撑的铜核层多层封装基板,并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程,进而达到提高封装体接合基板时的可靠度的铜核层多层封装基板的制作方法。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案为:一种铜核层多层封装基板的制作方法,其特征在于至少包含下列步骤:
(A)提供一铜核基板;
(B)于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层;
(C)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口,并显露部分铜核基板第一面;
(D)于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层;
(E)分别于该第二金属层上形成一第一阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层,于其中,该第一阻层上并形成数个第二开口,并显露部分的第二金属层;
(F)移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层,并形成一第一线路层;
(G)移除该第一阻层及该第二阻层,至此,完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板,并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I);
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