[发明专利]间隔片阵列及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种间隔片阵列及其制作方法，尤其涉及一种采用微影制程制作的间隔片阵列及其制作方法。

背景技术

随着科技的发展，便携式设备，例如具有拍照摄像功能的移动电话、数码相机等电子产品的应用日益广泛，并且越来越倾向于轻薄短小化。便携式设备的便携性和小型化对与之结合的相机模组提出了小型化的要求。

在相机模组中，单镜片一般很难满足光传播的特殊要求，往往需要几片镜片改变光路，并且最大限度地消除像差和球差。镜片与镜片之间用间隔片间隔，以防止相邻镜片之间发生摩擦或碰撞而受损。间隔片可采用的材料为金属、薄膜或塑料等。现有通过聚对苯二甲酸乙二醇酯属线型饱和聚酯(PET)生产的间隔片，但其厚度相对于目前的小型化镜头模组而言还是较厚，而且表面较粗糙，大批量生产时均一性较差。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种轻薄型且适合大批量生产的间隔片阵列及其制作方法。

一种间隔片阵列，该间隔片阵列具有多个阵列排布的通孔和围绕该通孔的遮光区，该间隔片阵列的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷。

一种间隔片阵列的制作方法，其包括以下步骤：提供一个基板，该基板具有一个表面；利用一灰阶光罩，通过曝光及显影的方法在该基板表面形成圆台体阵列；于基板表面未被圆台体阵列覆盖的区域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料层；固化该聚二甲基硅氧烷材料层；及翻模，使该聚二甲基硅氧烷材料层与该基板、该若干个圆台体分离，得到该间隔片阵列。

相较于现有技术，本发明采用黑化的聚二甲基硅氧烷材料制作间隔片，原材料成本低，在制作过程中，利用旋转涂布法可以有效地控制聚二甲基硅氧烷材料层的厚度，从而降低间隔片厚度。利用灰阶光罩避免繁琐的对准流程，从而适合大批量生产。

附图说明

图1是本发明实施例提供的间隔片阵列的俯视示意图。

图2是图1沿II-II方向的剖视图。

图3是本发明实施例提供的间隔片阵列的制作方法流程示意图。

图4是本发明实施例提供的涂布了负光阻的基板示意图。

图5是本发明实施例提供的曝光示意图。

图6是本发明实施例提供的显影后的示意图。

图7是图6沿VII-VII方向的剖视图。

图8是本发明实施例提供的在基板上涂布一聚二甲基硅氧烷材料层的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明实施例作进一步的详细说明。

请一并参阅图1和图2，本发明实施例提供了一种间隔片阵列100。该间隔片阵列100具有多个阵列排布的通孔101和围绕该通孔101的遮光区102，该间隔片阵列100的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷(poly-dimethylsiloxane，PDMS)。该通孔101为圆台状通孔。

请参阅图3，本发明实施例提供的该间隔片阵列100的制作方法包括以下步骤：

提供一个基板，该基板具有一个表面；

利用一灰阶光罩，通过曝光及显影的方法在该基板表面形成圆台体阵列；

于基板表面未被圆台体阵列覆盖的区域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料层；

固化该聚二甲基硅氧烷材料层；及

翻模，使该聚二甲基硅氧烷材料层与该基板、该若干个圆台体分离，得到该间隔片阵列。

下面将结合图4至图8对间隔片阵列100的制作方法进行详细描述。

请参阅图4，首先提供一基板30，其具有一个表面302，在表面302涂布光阻层304。

其中，基板30的材料为硅，在硅片上涂布光阻之前，需要先对硅片表面进行烘烤、清洗。通过烘烤将硅片表面吸收的水分去除，通过清洗使硅片表面更容易与光阻结合。

光阻层304为负光阻，负光阻的特点为曝光后，其感光部分不与显影液发生反应因而得以保留，未感光部分被显影液去除。本实施例采用的负光阻是环氧基紫外负性光刻胶(SU-8光刻胶)，因为此种负光阻能够符合一定的厚度要求。

请参阅图5，光罩40为一灰阶光罩，其具有预定图案，紫外光通过光罩40照射到负光阻层304上。

制作该灰阶光罩40有以下步骤：(1)提供一石英基板402；(2)以蒸镀方式将一合金层(图未示)镀于石英基板402上，该合金层的厚度约2.5至10nm；(3)经曝光及显影后利用剥离技术(Lift off)完成光罩表面灰阶结构404，通过曝光时光罩上各部位的穿透率不同以产生灰度。该灰阶结构404包括镍、铬及铁，其重量百分比分别为75％、16％及5％。该灰阶结构404具有多个圆台孔4042形成的阵列。