[发明专利]微弧氧化膜封孔方法无效
| 申请号： | 200810303802.4 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101649480A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 戴丰源;姜传华;罗勇达;何纪壮;刘伟;敖旭峰 | 申请（专利权）人： | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/18 | 分类号： | C25D11/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 膜封孔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：采用含硅酸乙酯的溶胶体作为封孔剂，对所述微弧氧化膜进行封孔。
2.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述封孔剂为硅酸乙酯的乙醇溶液，所述乙醇为无水乙醇。
3.如权利要求2所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述封孔剂中含有氨水及去离子水。
4.如权利要求3所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述硅酸乙酯、无水乙醇、氨水及去离子水的体积比为2～4∶25～35∶0.5～1.5∶5～12。
5.如权利要求3所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述封孔剂中含有氟硅表面活性剂。
6.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：所述对微弧氧化膜进行封孔采用浸渍、喷涂或涂抹的方式。
7.如权利要求1所述的对微弧氧化膜进行封孔的方法，其特征在于：封孔后所述封孔剂在微弧氧化膜表面形成一膜层，该膜层的厚度为3～4.5μm。
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