[发明专利]用于压印制程的模仁制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于压印制程的模仁制造方法，特别是涉及一种用于紫 外线成型压印制程的模仁制造方法。

背景技术

紫外线成型压印技术（请参见Liang Ying-xin,Wang Tai-hong,“A New  Technique for Fabrication of Nanodevices—Nanoimprint Lithography”, Micronanoelectronic Technology,2003,Vol.4-5）是采用紫外光照射室温的聚 合物实现固化成型的一种压印技术，特别适用于大批量、重复性、精确制备 微结构。紫外线成型压印技术为先制造具有微结构的模仁，然后利用该模仁 进行压印过程，最后进行图形转移。

现有技术中用于压印制程的模仁制造方法包括如下步骤：提供一透光基 底；在该透光基底一表面涂覆光阻层；曝光显影；蚀刻该基板形成微结构图 案；晶种层金属化；对该基板进行电铸；脱模并去除晶种层，形成模仁。

然而，这种制造方法中需要经过蚀刻、电铸、脱模等步骤才可以完成模 仁的制造，制程繁琐，生产效率低。

发明内容

有鉴于此，提供一种制程相对简单容易、生产效率高的用于压印制程的 模仁制备方法实为必要。

一种用于压印制程的模仁制造方法，其包括以下步骤：提供一透光基底， 所述透光基底具有相对的第一表面及第二表面，所述第一表面及第二表面上 均无抗反射膜层，或者，在所述第一表面及第二表面中的至少一表面上形成 有抗反射膜层，该透光基底为石英玻璃；提供一承载基底；在所述透光基底 与所述承载基底之间设置负光阻层；利用直写技术经由所述透光基底对所述 负光阻层曝光；移去所述承载基底；显影，形成模仁。

与现有技术相比，本发明的用于压印制程的模仁制造方法不需要经过蚀 刻、电铸、脱模等步骤即可以完成用于紫外线成型压印制程的模仁的制造， 制程简单，提高了生产效率。

附图说明

图1是本发明实施例中用于压印制程的模仁制造方法的流程图。

图2是本发明实施例中用于制造模仁的透光基底的示意图。

图3是本发明实施例中用于制造模仁的承载基底的示意图。

图4是设置负光阻层后，使得负光阻层位于透光基底与承载基底之间的示 意图。

图5是对图4中负光阻层曝光的示意图。

图6是图5中移去承载基底、曝后烤、显影及硬烤后得到的模仁的示意图。

具体实施方式

请参阅图1，其为本发明实施例中用于压印制程的模仁制造方法的流程 图。该方法包括以下步骤：

提供一透光基底；

提供一承载基底；

在所述透光基底与所述承载基底之间设置负光阻层；

利用直写技术经由所述透光基底对所述负光阻层曝光；

移去所述承载基底；

显影，形成模仁。

以下将以制造微小镜片模仁3为例对本发明实施例中用于压印制程的模 仁制造方法进行详细说明。

如图2所示，首先提供一透光基底31，该透光基底31为石英玻璃。

该透光基底31具有相对的第一表面31a及第二表面31b。该第一表面31a 及第二表面31b上可以均无抗反射膜层，也可以至少一表面上形成有抗反射膜 层。优选地，本实施例中，在第一表面31a及第二表面31b上分别形成有第一 抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b以增加透光性。

该第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b所用材料相同。该第一抗反 射膜32a层所用材料可为单一的高折射率材料，也可包括高折射率与低折射率 材料。当该第一抗反射膜层32a所用材料包括高折射率与低折射率材料时，该 高折射率材料层与低折射率材料层交替更叠形成于第一表面31a上。该高折射 率材料常用氧化钽、氧化钛，该低折射率材料常用二氧化硅、三氧化二铝。 该第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b的形成方式也相同。第一抗反射 膜层32a可采用物理气相沉积法，如热蒸镀法、电浆溅镀法、离子束溅镀法； 也可采用化学气相沉积法及其它薄膜沉积法。其中，所形成的第一抗反射膜 层32a及第二抗反射膜层32b的厚度可根据实际所需而设计。