[发明专利]一种超分辨i线光刻装置有效
| 申请号: | 200810246604.9 | 申请日: | 2008-12-30 | 
| 公开(公告)号: | CN101446777A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 | 
| 发明(设计)人: | 罗先刚;王长涛;陈旭南;甘大春;刘尧;赵泽宇;方亮;邢卉;崔建华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 | 
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 | 
| 代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李新华;徐开翟 | 
| 地址: | 610209*** | 国省代码: | 四川;51 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 分辨 光刻 装置 | ||
1.一种超分辨i线光刻装置,包括对准系统(4),基片台系统(5)以及隔振系统(6),其特征在于:还包括分离式曝光系统(1),自净化空气过滤系统(2)和气控弹性掩膜变形系统(3);
所述的气控弹性掩膜变形系统(3)包括微型气泵(23),微型真空泵(24),掩膜吸附架(25),螺旋微调结构(26),自调平机构(27),弹性掩膜(28),基片(29),基片台(30);微型真空泵(24)工作,将弹性掩膜(28)周边真空,从而掩模被吸附于掩膜吸附架(25)上;通过掩膜吸附架(25)上的螺旋微调结构(26)调整好弹性掩膜(28)下表面与微调结构(26)下表面之间的间隙,约45-50微米;调整基片台(30),将基片(29)升起,通过自调平机构(27)使基片(29)与螺旋微调结构(26)下表面贴合;这样基片(29)上表面与弹性掩膜(28)下表面之间的间隙就等于之前调好的距离;避免了基片(29)与弹性掩膜(28)直接接触由于接触力过大对弹性掩膜(28)造成的破坏,通过微型气泵(23)调整掩膜吸附架(25)内部气压,使弹性掩膜(28)发生弹性变形,达到掩膜(28)与基片(29)的完全贴合。
2.根据权利要求1所述的一种超分辨i线光刻装置,其特征在于:所述的分离式曝光系统(1)包括了光源部分和匀光照明系统部分,光源采用i线汞灯光源;它们之间用光纤(10)实现光能传输。首先将汞灯光源(7)放置在椭球镜(8)一个焦点上,利用椭球镜将汞灯光能集中到另一个焦点上;焦点位置上放置冷光反射镜(9),反射光通过光纤输送到光刻装置内部匀光照明系统部分;通过准直物镜(11),光栏(12),紫外窄带滤光片(13),蝇眼积分透镜(14),第一场镜(15),反射镜(16),第二场镜(17)作用后,出射光即为光刻所需的均匀照明。
3.根据权利要求1所述的一种超分辨i线光刻装置,其特征在于:所述的自净化空气过滤系统(2)包括空气过滤器(18)、进风口(19)、光刻装置工作区内部(20)、光刻装置壳体(21)、出风口(22);自带的空气过滤器(18)包含了初效,中效,高效以及超高效过滤网,进风风量控制器;外部空气经过多级过滤器过滤后经过壳体顶部的进风口(19)送入光刻装置工作区内部(20),光刻装置壳体(21)的底部出风口(22)将壳体内部空气排出,调整进风量和出风量,使壳体内部始终保持正压,这样外部未被净化的空气就无法进入壳体,通过不断的空气循环就能使光刻装置壳体内部环境达到很高的技术指标。
4.根据权利要求1所述的一种超分辨i线光刻装置,其特征在于:所述的气控弹性掩膜变形系统(3)中的所述掩膜吸附架(25)采用中空结构,所述微型真空泵(24)吸附所述弹性掩膜(28)周边部分,所述微型气泵(23)控制所述掩膜吸附架(25)内部气压变化,使所述弹性掩膜(28)中心部分发生弹性变形,所述螺旋微调结构(26)进行距离调整。
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