[发明专利]微波毫米波复合介质基板及其制备方法有效
申请号: | 200810243991.0 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101439605A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 周洪庆;刘敏 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | B32B15/082 | 分类号: | B32B15/082;B32B15/20;B32B27/20;B29C43/58;B29C71/04;B32B37/06;B32B37/10;C08L27/18;C08K13/04;C08K7/10;C08K3/40;C08K3/36;C08K3/22 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐冬涛;袁正英 |
地址: | 210009江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 毫米波 复合 介质 及其 制备 方法 | ||
1.微波毫米波复合介质基板,其特征在于是由低损耗复合介质和上下表面金属化层组成;其中低损耗复合介质组份及各组份占低损耗复合介质总重量的百分比分别为:聚四氟乙烯25~40% 聚苯硫醚3~20% 微纤维3~15% 玻璃粉10~25% 陶瓷粉20~45% 偶联剂1~5%;其中所述的陶瓷粉各组份及各组份占陶瓷粉总量的重量百分比分别为:SiO2 8~25% TiO2 20~45% SrO 12~28%CaO 5~25% MgO 3~15% La2O3 0.5~3%;玻璃粉各组份及各组份占玻璃粉总量的重量百分比分别为:SiO2 30~50% B2O3 20~35% CaO 20~45% Na2O0.3~1% K2O 0.3~1%。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于所述的上下表面金属化层,其中一层金属层为铜箔,另一层金属层为铜箔或铝板。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于所述的偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
4.一种如权利要求1所述基板的制备方法,其具体步骤为:
A.按玻璃粉配方分别称取SiO2、B2O3、CaO、Na2O和K2O混合8~12h;将制备的混合料倒入铂金坩锅内,于1350~1500℃下保温1~2h使其完全熔融和均匀化,倒入蒸馏水中得到透明碎玻璃;再将得到的碎玻璃,经湿法玛瑙球磨24~48h,得到平均粒径5~10μm的玻璃粉;
B.按陶瓷粉配方分别称取SiO2、TiO2、SrO、CaO、MgO和La2O3混合8~12h;将制备的混合料,在30~50MPa压力下成型,装入匣钵,在1250~1380℃保温2~6h烧成,烧成的陶瓷经破碎、粉碎、球磨、过筛,得到平均粒径5~8μm的陶瓷粉;
C.按复合介质配方分别称取聚四氟乙烯粉、聚苯硫醚粉、微纤维、玻璃粉、陶瓷粉和偶联剂,混合;将制备的混合料,压制成型,烧成,得到复合介质板;
D.将步骤C制备的复合介质板,对介质板表面进行粗化与活化处理;处理后的介质板放入等离子设备中进行表面辉光放电处理;
E.按上模板-铜箔-复合介质板-铜箔或铝板-下模板顺序,装入热压机加热加压压制,制得微波毫米波复合介质基板。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于步骤C中混合时间10~20h;成型压力为30~100MPa;烧成温度为330~380℃,烧成时间为0.5~2h。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于步骤D中表面辉光放电过程中放入电压380~750V、电流100~350mA的N2气氛保护的等离子设备中进行表面辉光放电,处理时间25~100min。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于步骤E中热压机加热到360~385℃,加压到8~15Mpa,模压时间为5~30min。
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