[发明专利]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法有效

专利信息
申请号: 200810243657.5 申请日: 2008-12-05
公开(公告)号: CN101428273A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 任向东;鲍家兴;左云翔 申请(专利权)人: 江阴海润太阳能电力有限公司
主分类号: B05D1/02 分类号: B05D1/02;B05D7/24;B05D3/00
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 代理人: 唐纫兰
地址: 214408江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 多晶 太阳能电池 铸锭 石英 坩埚 氮化 喷涂 方法
【权利要求书】:

1.一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述方法是将一定粒度的超纯氮化硅粉末和去离子水(DI水)以一定量配比,搅拌均匀,然后在洁净腔室内用高压枪喷涂在预热过的石英坩埚内壁,经过烘箱在一定程序下烧结,在石英坩埚内壁形成了一层致密的氮化硅膜喷涂层,烘箱抽成真空后通入Ar气,坩埚在该环境下烧结,以便保持氮化硅膜喷涂层的洁净,同时防止O等杂质元素混入,

所述超纯氮化硅粉末的粒度为:粉末粒度D(v,0.5)=0.5μm,D(V,1.0)=1.10μm,也就是氮化硅颗粒直径D≤0.5μm比率占50%,而最大颗粒直径为1.10μm,

所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:Si3N4∶去离子水=1∶4~1∶7,

所述石英坩埚的预热温度为:60~70℃,

所述烘箱的烧结程序分为五步:第一步,常温~800℃,时间为3小时±0.5小时;第二步,800~1100℃,时间为4小时±1小时;第三步,1100℃±100℃,恒温4小时±1小时;第四步,1100℃±100℃~800℃,时间4小时±0.5小时;第五步,开炉自然冷却。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:对于270kg锭,采用Si3N4∶去离子水=1∶5~1∶7。 

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:对于400kg锭,采用Si3N4∶去离子水=1∶4~1∶6。 

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