[发明专利]多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法有效
| 申请号: | 200810243657.5 | 申请日: | 2008-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN101428273A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
| 发明(设计)人: | 任向东;鲍家兴;左云翔 | 申请(专利权)人: | 江阴海润太阳能电力有限公司 |
| 主分类号: | B05D1/02 | 分类号: | B05D1/02;B05D7/24;B05D3/00 |
| 代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人: | 唐纫兰 |
| 地址: | 214408江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 太阳能电池 铸锭 石英 坩埚 氮化 喷涂 方法 | ||
1.一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述方法是将一定粒度的超纯氮化硅粉末和去离子水(DI水)以一定量配比,搅拌均匀,然后在洁净腔室内用高压枪喷涂在预热过的石英坩埚内壁,经过烘箱在一定程序下烧结,在石英坩埚内壁形成了一层致密的氮化硅膜喷涂层,烘箱抽成真空后通入Ar气,坩埚在该环境下烧结,以便保持氮化硅膜喷涂层的洁净,同时防止O等杂质元素混入,
所述超纯氮化硅粉末的粒度为:粉末粒度D(v,0.5)=0.5μm,D(V,1.0)=1.10μm,也就是氮化硅颗粒直径D≤0.5μm比率占50%,而最大颗粒直径为1.10μm,
所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:Si3N4∶去离子水=1∶4~1∶7,
所述石英坩埚的预热温度为:60~70℃,
所述烘箱的烧结程序分为五步:第一步,常温~800℃,时间为3小时±0.5小时;第二步,800~1100℃,时间为4小时±1小时;第三步,1100℃±100℃,恒温4小时±1小时;第四步,1100℃±100℃~800℃,时间4小时±0.5小时;第五步,开炉自然冷却。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:对于270kg锭,采用Si3N4∶去离子水=1∶5~1∶7。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法,其特征在于所述超纯氮化硅粉末与去离子水的质量配比为:对于400kg锭,采用Si3N4∶去离子水=1∶4~1∶6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴海润太阳能电力有限公司,未经江阴海润太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810243657.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多点成形模具的复合冲头
- 下一篇:半导体致冷酸蒸馏纯化器及纯化方法





