[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅电 极和栅线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和阻挡薄 膜，通过第二次构图工艺形成半导体层和阻挡层的图形，该阻挡层用于阻止 半导体层被刻蚀；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触薄膜、透明导电薄膜、源 漏金属薄膜和钝化薄膜，通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极、TFT沟 道、数据线、像素电极和钝化层的图形；

所述步骤2具体包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和阻挡薄膜；

步骤22、在完成步骤21的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤23、采用半色调或灰色调掩模板形成完全保留光刻胶区域、部分保 留光刻胶区域和无光刻胶区域；所述完全保留光刻胶区域对应于形成阻挡层 的图形的区域，所述无光刻胶区域对应于基板上形成所述半导体层的图形的 区域之外的区域；所述部分保留光刻胶区域对应于除形成阻挡层的图形的区 域和形成所述半导体层的图形的区域之外的区域；

步骤24、刻蚀无光刻胶区域的阻挡薄膜和半导体薄膜，形成半导体层的 图形；

步骤25、对经过步骤24之后的剩余光刻胶进行灰化处理，去除所述部 分保留光刻胶区域的光刻胶；

步骤26、刻蚀掉暴露出来的阻挡薄膜，露出半导体层，形成阻挡层的图 形；

步骤27、剥离剩余的光刻胶；

所述步骤3包括：

步骤31、在完成步骤2的基板上沉积欧姆接触薄膜、透明导电薄膜、源 漏金属薄膜和钝化薄膜；

步骤32、在完成步骤31的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤33、采用半色调或灰色调掩模板形成完全保留光刻胶区域、部分保 留光刻胶区域和无光刻胶区域；完全保留光刻胶区域对应于形成源电极、漏 电极和数据线的图形的区域，部分保留光刻胶区域对应于形成像素电极的图 形的区域，无光刻胶区域对应于形成除形成源电极、漏电极和数据线的图形 的区域，和形成像素电极的图形的区域之外的区域；

步骤34、刻蚀无光刻胶区域的钝化薄膜、源漏金属薄膜、透明导电薄膜 和欧姆接触薄膜，形成数据线和TFT沟道的图形；

步骤35、对经过步骤34之后的剩余光刻胶进行灰化处理，去除所述部 分保留光刻胶区域的光刻胶；

步骤36、刻蚀暴露出来的钝化薄膜和源漏金属薄膜，露出透明导电薄膜， 形成像素电极和漏电极的图形；

步骤37、剥离剩余的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述阻挡层的面积小于所述半导体层的面积。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述阻挡层的厚度为100-300nm。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述半导体层的厚度为40-100nm。