[发明专利]一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法

权利要求书

1.一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法，其 特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)喷砂处理：对磁体的表面进行喷砂处理，喷砂处理后磁体 的表面粗糙度Ra为0.8μm～25μm；

(2)混料：将填料和磁体按比表面积比为1∶2～1∶4混合后装入 滚筒；所述填料为含有5～15wt.％ZrO₂的高耐磨陶瓷材料，所述填料 的莫氏硬度为5.0～8.0，所述填料的粒度为3～10mm，所述填料的形状 为球状；

(3)抽真空：将滚筒放入真空室抽真空；

(4)离子轰击和蒸发镀铝：对蒸发源进行离子轰击，并转动滚 筒对磁体进行蒸发镀铝；

其中，在蒸发过程中，蒸发源在与地面垂直方向上的蒸发距离随 时间做匀速往复运动周期性变化；在蒸发镀铝过程中，滚筒转速随时 间做匀速周期性变化。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述喷砂处理的喷砂 时间为5～15分钟，喷砂磨料为60～150目，压缩空气压力为 0.3～0.7Mpa。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述抽真空后真空室 的压力大于或等于3.0×10^-3Pa。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于，在蒸发过程中，蒸发 源的蒸发距离在20分钟时间内从0cm到20cm做一个匀速往复运动 周期性变化。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，在蒸发镀铝过程中， 滚筒转速在每20分钟内转速从0rpm-5rpm-0rpm做匀速周期性变化。

6.如权利要求4所述方法，其特征在于，所述蒸发源的往复运 动是通过在蒸发源下方加入一个齿轮链条并连接一个微型电机实现 的。

7.如权利要求1或5所述方法，其特征在于，所述蒸发镀铝同 时加载500～2000V的偏压。

8.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述磁体为钕铁硼永 磁体。