[发明专利]自屏蔽辐射源的高能电子束辐照加工系统有效
申请号: | 200810239790.3 | 申请日: | 2008-12-17 |
公开(公告)号: | CN101752020A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 唐华平;刘耀红;张化一 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
主分类号: | G21K5/00 | 分类号: | G21K5/00;G21K5/10;G21F7/00;G21F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;蒋骏 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 辐射源 高能 电子束 辐照 加工 系统 | ||
1.一种辐射源自屏蔽的高能电子束辐照加工系统(200),包括辐 照设备和土建建筑,其中:
所述辐照设备包括:加速器(1)、加速器功率源与辅助系统(5)、 连接所述加速器(1)和所述加速器功率源与辅助系统(5)的功率输送 装置(4)、扫描盒(3)、连接所述加速器(1)和所述扫描盒(3)的 电子束漂移管(2)、束下物品传送系统(7)、以及控制所述加速器(1) 和所述束下物品传送系统(7)的工作的控制系统(6),
所述土建建筑包括:安装有所述加速器(1)的加速器室(21)、 由钢筋混凝土结构构成的安装有所述扫描盒(3)的辐照室(12)、由 钢筋混凝土结构构成的物品传送通道迷宫(13)、以及由普通砖石结构 (18)构成的安装有所述控制系统(6)的控制室(20),
其中所述束下物品传送系统(7)通过所述物品传送通道迷宫(13) 出/入所述辐照室(12),并且从所述扫描盒(3)的下方穿过,
其特征在于:所述辐照设备还包括安装在所述加速器(1)的四周 及顶部的屏蔽体(22),所述屏蔽体(22)由重金属材料制成,具有辐 射防护功能,能够屏蔽所述加速器(1)所产生的侧向及顶向辐射射线, 从而使所述屏蔽体(22)的外部达到符合国家辐射防护安全标准的水平, 并且所述加速器室(21)由普通砖石结构构成。
2.根据权利要求1所述的高能电子束辐照加工系统(200),其特 征在于:所述加速器室(21)内还安装有所述功率输送装置(4)和所 述加速器功率源与辅助系统(5)。
3.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述加速器室(21)具有不带辐射防护功能的普通轻便门 (23)。
4.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述重金属材料是钢、铅或钨。
5.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述加速器(1)是行波直线加速器或驻波直线加速器。
6.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述高能电子束辐照加工系统(200)按上下两层进行布置。
7.根据权利要求6所述的高能电子束辐照加工系统(200),其特 征在于:所述上层包括所述加速器室(21)和所述控制室(20),所述 下层包括所述辐照室(12)和所述物品传送通道迷宫(13),所述屏蔽 体(22)安装在所述加速器(1)的四周和顶部,所述辐照室(12)顶 部的钢筋混凝土结构的厚度足以使所述钢筋混凝土结构外部的辐射达 到符合国家安全标准的水平。
8.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述电子束漂移管(2)的直径为φ30mm~φ60mm。
9.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200),其 特征在于:所述电子束漂移管(2)的长度为1m~3m。
10.根据权利要求1或2所述的高能电子束辐照加工系统(200), 其特征在于:所述高能电子束辐照加工系统(200)在同一层面进行水 平布置。
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