[发明专利]一种新型结构的低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 200810236751.8 申请日: 2008-12-10
公开(公告)号: CN101419479A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 江金光;张提升;刘经南 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 武汉天力专利事务所 代理人: 严 彦;冯卫平
地址: 43007*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 结构 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种新型结构的低压差线性稳压器,包括有误差放大器和驱动元件,其特征 在于:设置缓冲电路、为驱动元件提供静态电流的驱动元件偏置电路及补偿电 路;所述误差放大器采用轨至轨放大器,误差放大器设有预置电压输入端和反 馈电压输入端,误差放大器的输出端连接缓冲电路的输入端,缓冲电路的输出 端连接驱动元件的输入端以实现控制负载电流变化;驱动元件的输出端采用全 反馈方式直接连接到误差放大器的反馈电压输入端,同时驱动元件的输出端连 接驱动元件偏置电路;补偿电路的一端连接驱动元件的输出端,另一端与误差 放大器相连接;

所述误差放大器采用轨至轨折叠共源共栅运算跨导放大器结构,即由输入电路、 第一电路加法器和第二电路加法器组成,

所述输入电路包括有第一差分放大器电路和第二差分放大器电路、第一电 流源、第二电流源,第一电流源耦接到地电压GNDA,并输出电流到第一差分放 大器电路,第二电流源耦接到电源电压VDDA,并输出电流到第二差分放大器电 路;所述第一差分放大器电路包括第一输入NMOS晶体管MN1A和第二输入NMOS 晶体管MN1B,第一输入NMOS晶体管MN1A和第二输入NMOS晶体管MN1B的源极 相连;所述第二差分放大器电路包括第一输入PMOS晶体管MP1A和第二输入PMOS 晶体管MP1B,第一输入PMOS晶体管MP1A和第二输入PMOS晶体管MP1B的源极 相连;反馈电压接入第一输入NMOS晶体管MN1A和第一输入PMOS晶体管MP1A 的栅极,预置电压接入第二输入NMOS晶体管MN1B和第二输入PMOS晶体管MP1B 的栅极;第一输入PMOS晶体管MP1A的漏极电流输出到第一差分输出端IN1,第 二输入PMOS晶体管MP1B的漏极电流输出到第二差分输出端IN2,第一输入NMOS 晶体管MN1A的漏极电流输出到第三差分输出端IP1,第二输入NMOS晶体管MN1B 的漏极电流输出到第四差分输出端IP2;

所述第一电路加法器包括第一电流镜PMOS晶体管MP2A、第二电流镜PMOS 晶体管MP2B、第一共栅PMOS晶体管MP3A和第二共栅PMOS晶体管MP3B;第一 电流镜PMOS晶体管MP2A的源极连接在电源电压VDDA,漏极连接到第一差分输 出端IN1,栅极连接到第一节点N1;第二电流镜PMOS晶体管MP2B的源极连接 在电源电压VDDA,漏极连接到第二差分输出端IN2,栅极连接到第一节点N1; 第一共栅PMOS晶体管MP3A源极连接到第一差分输出端IN1,漏极连接到第一节 点N1,栅极输出为第三偏压Vbias3;第二共栅PMOS晶体管MP3B的源极连接到 第二差分输出端IN2,漏极连接到误差放大器的输出端,栅极输出为第三偏压 Vbias3;

所述第二电路加法器包括第一电流镜NMOS晶体管MN3A、第二电流镜NMOS 晶体管MN3B、第一共栅NMOS晶体管MN2A和第二共栅NMOS晶体管MN2B;第一 电流镜NMOS晶体管MN3A的源极连接在地电压GNDA,漏极连接到第三差分输出 端IP1,栅极输出为第五偏压Vbias5;第二电流镜NMOS晶体管MN3B的源极连 接在地电压GNDA,漏极连接到第四差分输出端IP2,栅极输出为第五偏压Vbias5; 第一共栅NMOS晶体管MN2A的源极连接到第三差分输出端IP1,漏极连接到第一 节点N1,栅极输出为第四偏压Vbias4;第二共栅NMOS晶体管MN2B的源极连接 到第四差分输出端IP2,漏极连接到误差放大器的输出端,栅极输出为第四偏压 Vbias4。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述驱动元件包括 有第一驱动PMOS晶体管MPOUT,第一驱动PMOS晶体管MPOUT的源极连接到电源 电压VDDA,栅极连接缓冲电路的输出端,漏极作为提供驱动的输出端,采用全 反馈方式直接连接到误差放大器的反馈电压输入端,向第一输入NMOS晶体管 MN1A和第一输入PMOS晶体管MP1A的栅极提供反馈电压。

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