[发明专利]MnZn铁氧体磁芯配方及其制造方法无效
| 申请号: | 200810234133.X | 申请日: | 2008-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN101533700A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 李宗展;陈维德 | 申请(专利权)人: | 越峰电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34;H01F41/02;C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司: | 昆山四方专利事务所 | 代理人: | 盛建德 |
| 地址: | 215314江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mnzn 铁氧体 配方 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种MnZn铁氧体铁芯配方及其制造方法,主要应用于高速区域网(LAN)系统中的脉冲变压器,一般主要为小型尺寸环形铁芯(2mm~8mm),在高频(100kHz~200kHz)、较高电压(100mV~200mV)和较高直流偏压(18~30匝线圈,8mA直流)以及宽温(-40℃~+85℃)条件下,具有很高的初导磁率,可以降低铁芯体积或减少绕线圈在数。
背景技术
今日,100Mbps以上传输速率的高速区域网(LAN)系统已经成为主流。此高速区域网(LAN)系统在操作温度范围内,特性必须满足ANSI标准(X3.263-1995[R2000],L≥350μH,100kHz,100mV,DC=8mA)。由于技术的不断提升,高速区域网(LAN)系统的操作温度范围随之延伸,也已由最早的室温25℃到传统的0~70℃延伸至-40~85℃。
通讯组件的趋势是越做越小,越做越薄。故此种应用于高速区域网(LAN)系统中的材质,主要以小型尺寸环形铁芯为主,一般外径在4mm以下,高度(HT)在2.6mm以下。
因此,如何在满足ANSI标准的基础下减少绕线圈匝数、降低铁芯体积成为业界的关注。
发明内容
本发明提供了一种MnZn铁氧体磁芯配方及其制造方法,主要应用于高速区域网(LAN)系统中的脉冲变压器,在高频(100kHz~200kHz)、较高电压(100mV~200mV)和较高直流偏压(20~30匝线圈,8mA直流)以及宽温(—40℃~+85℃)条件下,具有很高的感应系数,可有效减少绕线圈匝数、降低铁芯体积。
本发明为了解决其技术问题所采用的的技术方案是:
一种MnZn铁氧体磁芯配方,由主成份和副成份组成,所述主成份由氧化铁、氧化锌和氧化锰组成,按摩尔百分比计:以Fe2O3计算,氧化铁为51%~54%,以ZnO计算,氧化锌为21%~24%,其余为氧化锰;所述副成份包括氧化硅和氧化钙,以主成份的重量为基准:以SiO2计算,氧化硅占40ppm~180ppm,以CaO计算,氧化钙占100ppm~350ppm。
所述副成份还至少包括有氧化锆和氧化铌中的一种,以主成份的重量为基准:以ZrO2计算,氧化锆占0ppm~800ppm;以Nb2O5计算,氧化铌占0ppm~500ppm。
所述副成份还包括有氧化钼,以主成份的重量为基准:以MoO3计算,氧化钼占0ppm~600ppm。
所述副成份还包括有氧化钼,以主成份的重量为基准:以MoO3计算,氧化钼占0ppm~600ppm。
一种MnZn铁氧体磁芯配方的制造方法,按以下步骤进行烧结:
(1).按配方将磁芯组份混合后升温至设定温度;
(2).在设定时间内持续保持设定温度;
(3).降温。
所述设定温度为1290℃~1400℃,设定时间为3~8小时。
本发明的有益效果是:本发明因含量适当的主成份和良好的烧结条件,可得到较高的初导磁率;又含有适量的副成份:氧化硅、氧化钙和氧化锆可改善磁芯的直流叠加特性,氧化铌可改善磁芯的高温直流叠加特性,氧化钼可有效提升直流偏压下低温的感应系数,故能以较少的绕线圈匝数即可满足需求。
总而言之,本发明具有较高的初导磁率和很高的感应系数,可有效减少绕线圈匝数、降低铁芯体积。
具体实施方式
实施例:一种MnZn铁氧体磁芯配方,由主成份和副成份组成,所述主成份由氧化铁、氧化锌和氧化锰组成,按摩尔百分比计:以Fe2O3计算,氧化铁为51%~54%,以ZnO计算,氧化锌为21%~24%,其余为氧化锰;所述副成份包括氧化硅和氧化钙,以主成份的重量为基准:以SiO2计算,氧化硅占40ppm~180ppm,以CaO计算,氧化钙占100ppm~350ppm。
所述副成份还至少包括有氧化锆和氧化铌中的一种,以主成份的重量为基准:以ZrO2计算,氧化锆占0ppm~800ppm;以Nb2O5计算,氧化铌占0ppm~500ppm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于越峰电子(昆山)有限公司,未经越峰电子(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810234133.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





