[发明专利]一种半导体激光器准直透镜制作装置

权利要求书

1.一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：包括主框架、二维微调台(1)、环形紫外光源(2)、电极(6)、注射器(14)、光斑检测摄像机(8)和面形检测光路；

所述主框架由底部的方形底板(16)，左部的左侧板(9)，后部的后侧板(10)组成，左侧板(9)下部设有反光镜孔；主框架中部设有二维微调台(1)，二维微调台(1)上设有环形紫外光源(2)，二维微调台(1)中部设有半导体激光器(3)，半导体激光器(3)位于环形紫外光源(2)中央，半导体激光器(3)的出光窗口位于顶面，准直透镜(4)位于半导体激光器(3)的出光窗口；

所述环形紫外光源(2)环壁下部均布设有两个以上的门形缺口，环壁内侧面均布设有三个以上紫外发光二极管；左侧板(9)的反光镜孔位于环形紫外光源(2)环壁下部左侧的门形缺口处；

所述二维微调台(1)右部设有白光光源(15)，白光光源(15)位于环形紫外光源(2)环壁下部右侧的门形缺口处，与白光光源(15)对应在左侧板(9)的反光镜孔外侧设有反光镜(5)，反光镜(5)的上方设有镜头(17)，镜头(17)连接着面形检测摄像机(18)，面形检测摄像机(18)安装在左侧板(9)外侧上部；

所述面形检测光路由所述的白光光源(15)、反光镜(5)、镜头(17)和面形检测摄像机(18)组成，且白光光源(15)、反光镜(5)、镜头(17)和面形检测摄像机(18)的光轴位于同一个垂直面内；

所述左侧板(9)内侧壁上部设有左侧板电动平移台(7)，左侧板电动平移台(7)上设有光斑检测摄像机(8)；所述后侧板(10)前侧壁上部设有后侧板电动平移台(11)，后侧板电动平移台(11)上通过支架(12)设有可左右转动的电动转台(13)，电动转台(13)位于二维微调台(1)的上方，电动转台(13)上设有电极(6)和注射器(14)，且电极(6)和注射器(14)垂直位于二维微调台(1)上方，电极(6)位于光斑检测摄像机(8)的下方；所述电极(6)呈圆柱筒形，电极(6)的轴向中心线到电动转台(13)转动中心线的距离和注射器(14)轴向中心线到电动转台(13)转动中心线的距离相等；且所述的半导体激光器(3)、电极(6)、光斑检测摄像机(8)三者的轴向中心线重合。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：所述电极(6)由上部的绝缘塑料圆筒和圆筒底部的导电玻璃粘合而成，导电玻璃为椭圆形，且长轴方向与半导体激光器(3)的慢轴方向一致，导电玻璃的上表面设有氧化铟锡镀层；电极(6)接0-5500V电压。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：所述准直透镜(4)材料为经紫外光照射能固化的光敏胶。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：所述环形紫外光源(2)的环壁内侧均布设有3-8个紫外发光二极管，发光波长365nm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：所述二维微调台(1)在水平面两个方向每个方向的移动分辨率为0.001-0.1mm，每个方向的移动行程为5-30mm。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光器准直透镜制作装置，其特征在于：所述左侧板电动平移台和后侧板电动平移台的型号均为GCD-104100M的电控平移台，行程100mm，分辨率0.001mm。