[发明专利]源场板高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种源场板高电子迁移率晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其特征在于，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1，每个浮空场板大小相同且相互独立，这些浮空场板与源场板厚度相同，且同时位于钝化层的层面上；源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.05～3.5μm，相邻两浮空场板之间的间距均大于S1，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，以增大势垒层耗尽区的面积。

2.一种制作源场板高电子迁移率晶体管的方法，包括如下过程：

选择蓝宝石或碳化硅或硅或其它外延衬底材料作为衬底(1)；

在衬底(1)上外延III-V族化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；

在过渡层(2)上淀积III-V族化合物半导体材料的势垒层(3)；

在势垒层(3)上第一次制作掩膜，并在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；

在势垒层(3)上第二次制作掩膜，在源极(4)和漏极(5)之间的势垒层上淀积金属，制作栅极(6)；

淀积钝化层(7)，即用绝缘介质材料分别覆盖源极、漏极和栅极，以及势垒层上的其它区域；

在钝化层(7)上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.15～10μm的源场板(8)及n个浮空场板(9)，n≥1，每个浮空场板大小相同且相互独立，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.05～3.5μm，相邻两浮空场板之间的间距均大于S1，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，并将源场板(8)与源极(4)电气连接；

淀积保护层(10)，即用绝缘介质材料分别覆盖源场板及各浮空场板的外围区域。