[发明专利]一种单通道闪存的高速写入方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储设备的写入方法，尤其涉及一种单通道闪存的高速写入方法。

背景技术

闪存作为一种新的非易失性存储介质，以其存储密度大、携带方便、功耗低、掉电数据保持时间长及抗震性好等诸多优点，已经在消费类电子领域非常普及。在工业及军工领域，也越来越受到重视和欢迎。在一些大容量数据存储应用场合，往往会有多片闪存级联或者组成整列使用，以扩大存储空间和提高数据的吞吐量。但是，由于闪存在写入数据后需要进行较长时间的等待，以确保数据正确写入。典型的，一次写入需要等待200us，最大等待时间需要700us。如果按照正常的操作思路，向闪存中写入数据后就进行等待，数据的写入速度会很慢，无法满足实际的使用要求。有些场合，为了取得高的写入速度牺牲每个芯片的写入等待时间，这样会带来数据的不可靠性，特别是环境恶劣的场合，不能满足可靠性的要求。

发明内容

本发明的目的为解决现有技术中闪存数据写入速度慢的缺陷，提供了一种能够快速写入闪存的单通道闪存写入方法。

本发明的技术解决方案为：

一种单通道闪存的高速写入方法，其特殊之处是：

1]、占用相应通道内的第一个闪存芯片的实际写入时间，通过控制总线和数据总线向第一个闪存芯片写入数据；

2]、利用第一个闪存芯片的写入等待时间，通过控制总线和数据总线向下一个闪存芯片继续写入数据；

3]、依照步骤2]的方式，利用当前闪存芯片的写入等待时间，依次向通道内剩余的闪存芯片写入数据，直至通道内的所有闪存芯片完成一次数据写入工作，而且当第一个闪存芯片的写入等待时间结束，通道内的写入操作一周完毕；

4]、返回步骤1]，重新向第一个闪存芯片写入数据，开始新的写入操作，直至所有数据的写入工作完成，循环写入操作完毕。

上述步骤2]中第一个闪存芯片的写入等待时间正好等于向通道内其余闪存芯片写入数据的时间。

本发明具有如下优点：

1、闪存写入速度快。速度上可以突破闪存的理论写入速度，使得闪存的写入速度可以达到写入时序所能允许的理论最大速度，以适应高速接口标准如PATA、SATA、1394和USB等。

2、数据写入可靠性高。可靠性上严格按照闪存操作的时间特性进行等待，确保在各种条件下数据的可靠性。

附图说明

图1为本发明闪存芯片阵列结构示意图。

图2为本发明每个通道内的闪存芯片读写流水线管理方法示意图。

具体实施方式

参见图1，本发明的一种单通道闪存芯片组织结构，包括由闪存芯片，以及与闪存芯片连接的数据总线、控制总线和片选信号线构成的单通道，每个闪存芯片对应于一条片选信号线，每个芯片的片选信号线独立，通道内的所有闪存芯片共用一条数据总线和一条控制总线。其中通道内的闪存芯片构成闪存芯片组级联。

本发明的一种单通道闪存的高速写入方法，包含有以下步骤：

1]、占用相应通道内的第一个闪存芯片的实际写入时间，通过控制总线和数据总线向第一个闪存芯片写入数据；

2]、利用当前闪存芯片的写入等待时间，通过控制总线和数据总线向下一个闪存芯片继续写入数据；

3]、依照步骤2]的方式，利用第一个闪存芯片的写入等待时间，依次向通道内剩余的闪存芯片写入数据，直至通道内的所有闪存芯片完成一次数据写入工作，而且当第一个闪存芯片的写入等待时间结束，通道内的写入操作一周完毕；

4]、返回步骤1]，重新向第一个闪存芯片写入数据，开始新的写入操作，直至所有数据的写入工作完成，循环写入操作完毕。

例如通道内有4个芯片，采用图2所示的每个通道内的闪存芯片读写流水线管理方法。当写完第一个芯片后，在当前芯片处于写等待状态时，立即转入下一个芯片的操作，并不因为第一组芯片处于写等待状态而使得总线空闲。以此类推，当循环操作一周后回到第一个芯片，刚好第一芯片的写等待时间完成，又可进行下一轮的操作。这种流水线管理芯片的方法保证通道的数据总线总是处于繁忙状态，从而提高了通道的数据传输速度。而且，由于每个芯片的写等待时间得到了保证，也就保证了数据写入的可靠性。