[发明专利]基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器无效

专利信息
申请号: 200810232143.X 申请日: 2008-11-07
公开(公告)号: CN101740994A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 延双毅;赵卫;谢小平 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/098
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 商宇科
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 基于 半导体 放大器 注入 线性 主动 光纤 激光器
【权利要求书】:

1.一种基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器包括波长可调连续激光器、电光调制器、外部射频源、耦合器、线性腔以及脉冲压缩器;所述可调连续激光器和外部射频源接入电光调制器;所述电光调制器接入耦合器;所述耦合器和线性腔相连;所述耦合器接入脉冲压缩器;所述线性腔包括第一反射器件,第一单模光纤、半导体光放大器、第二单模光纤以及第二反射器件;所述第一反射器件、第一单模光纤、半导体光放大器、第二单模光纤和第二反射器件依次连接。

2.根据权利要求1所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述第一单模光纤和第二单模光纤是普通单模光纤。

3.根据权利要求2所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述第一反射器件是光纤端面或者光纤内连接点。

4.根据权利要求2所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述第二反射器件是光纤端面或者镀膜的光纤端面。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述电光调制器是铌酸锂电光调制器。

6.根据权利要求5所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述脉冲压缩器是色散补偿光纤。

7.根据权利要求6所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述外部射频源是系统时钟源或者弦波信号发生器。

8.根据权利要求7所述的基于半导体光放大器的外注入式线性腔主动锁模光纤激光器,其特征在于:所述耦合器是环行器或者不同分光比的耦合器。

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