[发明专利]铜基表面纳米复合AgSnO2电接触合金的制备方法无效
申请号: | 200810231645.0 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101407868A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 付翀;王俊勃;杨敏鸽;贺辛亥;陈立成;杜志敏;蒋百灵 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C5/06;H01H1/02 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 | 代理人: | 罗 笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 纳米 复合 agsno sub 接触 合金 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于材料制造技术领域,涉及一种于铜基表面涂覆电接触合金的方法,具体涉及一种铜基表面纳米复合AgSnO2电接触合金的制备方法。
背景技术
银基合金因其具有的高导电性、高导热性、高抗熔焊性、大气条件下不氧化,能保持低而稳定的接触电阻等性能,成为电接触材料的首选合金,其中又以AgSnO2合金为主。但银是一种昂贵的稀有金属,为降低成本,减少银的消耗量,研究开发价格低、性能可靠的电接触材料具有非常重要的意义。
目前,电接触材料的研究开发,主要集中于铜基电接触材料的研究,铜和银具有相近的导电能力,其熔点、热容量和机械性能高于银,但铜的表面容易氧化,导致性能下降。
现有公知的制备银基或铜基电接触材料的技术有:1)《纳米银基电接触合金及其制备工艺》(申请号00135475.2,公开号CN1320711,公开日2001.11.07);2)专利《纳米SnO2/Fe2O3共混掺杂银基电接触合金及其制备方法》(专利号ZL200310122263.1,公开号CN1635172,公开日2005.07.06);3)专利《纳米银氧化锡电触头及其制备方法》(专利号ZL02146696.3,公开号CN1417817,公开日2003.05.14);4)《掺杂金属氧化物银-二氧化锡电触头材料及其制备方法》(申请号03100430.X,公开号CN1425782,公开日2003.06.25);5)专利《铜基复合电接触材料》(专利号ZL03139038.2,公开号CN1523623,公开日2004.08.25);6)专利《一种电接触复合材料》(专利号ZL03135166.2,公开号CN1468707,公开日2004.01.21);7)专利《三复合电触头制造工艺》(专利号ZL200610049669.5,公开号CN1838354,公开日2006.09.27);8)《银基三层金属复合电接触材料》(申请号200710065631.1,公开号CN101034632,公开日2007.9.12)。
已提出的铜基电接触材料方案,是在铜中添加其它物质,如在铜中加入碳纤维、石墨、金刚石、碳化硼、稀土金属、氧化物和卤化物等,这些方案有效改善了铜基电接触材料的电性能和机械性能,但其总体性能依然低于银基合金。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铜基表面纳米复合AgSnO2电接触合金的制备方法,通过等离子喷涂设备将纳米复合AgSnO2粉末喷涂于纯铜或铜合金基体表面,制得纳米结构等离子喷涂涂层,该涂层的总体性能达到或超过现有的AgSnO2电接触材料,同时,节省贵金属银。
本发明所采用的技术方案是,一种铜基表面纳米复合AgSnO2电接触合金的制备方法,按以下步骤进行:
步骤1:制备纳米SnO2粉末
取SnCl4水溶液,滴加氨水,产生化学共沉淀,制得SnO2纳米氧化物前躯体水溶液,将该前躯体水溶液置于温度为60℃~90℃的环境中,干燥,然后,在温度为400℃~600℃的条件下培烧,制得纯非晶或晶态纳米SnO2粉末;
或,分别取SnCl4水溶液和FeCl3、LaCl3、(NH4)2Ce(NO3)6水溶液中的一种或两种,将所取的水溶液混合均匀,滴加氨水,产生化学共沉淀,制得纳米混杂氧化物前躯体水溶液,该水溶液中Sn与Fe、La、Ce的原子比分别为5:0~5、5:0~5和5:0~5,然后,将水溶液置于温度为60℃~90℃的环境中烘干,之后,在温度为400℃~600℃的条件下培烧,制得含掺杂元素的非晶或晶态纳米SnO2粉末;
步骤2:制备纳米复合AgSnO2粉末
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