[发明专利]CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法

权利要求书

1.一种CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法，其特征在 于，该方法包括：

从晶圆厂商提供的PDK文档或模型文件中，找出V_TN、V_TP、α_μp和K_VTP参数的数值；

使用EDA工具通过直流仿真得到V_gs；

利用V_gs、V_TN、V_TP、α_μp和K_VTP参数求出所需偏置电流的温度系 数和所需偏置电压的温度系数；

根据求出的所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数设 计出CMOS源极耦合高速分频器的偏置电路；

其中，所述求出所需偏置电流的温度系数采用公式 其中，K_Ibias为所需偏置电流的温度系数，V_gs为 NMOS晶体管的栅电压，V_TN为NMOS晶体管的域电压，为NMOS晶 体管的温度系数；

所述求出所需偏置电压的温度系数采用公式 KVbias,min=1Vbias,min[(αμpT0-KIbias)(VDD-Vbias,min-|VTP|)-|VTP|KVTP],]]>其中，为所 需要的偏置电压的温度系数，V_bias，min为所需要的偏置电压，K_Ibias为所需偏 置电流的温度系数，T₀＝300K，V_DD为电源电压，V_TP为NMOS晶体管的域 电压，K_VTP为NMOS晶体管的温度系数，a_μp为载流子温度系数的指数项。

2.根据权利要求1所述的CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设 计方法，其特征在于，所述偏置电流是与绝对温度成一定比例关系的电流， 该偏置电流的温度系数由MOS管的开启电压、MOS管的温度系数和栅电 压决定。

3.根据权利要求1所述的CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设 计方法，其特征在于，所述偏置电压是与绝对温度成一定比例关系的电压， 该偏置电压的温度系数由MOS管的开启电压、载流子迁移率及二者的温 度系数来决定。

4.根据权利要求1所述的CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设 计方法，其特征在于，所述使用的EDA工具是HSPICE、Cadence或ADS。