[发明专利]绿色二氧化碳超临界流体半导体清洗设备有效
申请号: | 200810227485.2 | 申请日: | 2008-11-26 |
公开(公告)号: | CN101740342A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 景玉鹏;高超群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;B08B7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绿色 二氧化碳 临界 流体 半导体 清洗 设备 | ||
1.一种二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,该设备包括主工作室(1)、分离室(3)、清洗剂及助溶剂暂存罐(4)、温度及压力控制系统(7)和二氧化碳循环控制系统(8),其中,
主工作室(1),用于半导体硅片的超临界流体清洗和超临界干燥,固定在支座(10)上,该主工作室(1)内部安装有温度传感器(106)和压力传感器(107),腔室内部的温度受温度及压力控制系统(7)的控制;
分离室(3),用于二氧化碳与清洗废液的分离,固定在支座(10)上,通过带电磁阀(105)的管道(104)与主工作室(1)相连,通过分离室排气管道(301)和二氧化碳循环控制系统(8)相连;
清洗剂及助溶剂暂存罐(4),用于存放辅助清洗的有机溶剂,通过带电磁阀(403)的管道(402)与主工作室(1)的二氧化碳入口管道(103)相连;
温度及压力控制系统(7),用于对主工作室(1)和分离室(3)腔室内部的温度进行控制;
二氧化碳循环控制系统(8),用于实现整套设备的二氧化碳循环控制工作,固定在支座(10)上,由液体二氧化碳储气罐和压缩机构成,对二氧化碳进行压缩、散热和存储,同时完成主工作室(1)和分离室(3)的制冷任务;
所述二氧化碳循环控制系统(8)中的液体二氧化碳分别在清洗工作回路和制冷工作回路中流动;所述清洗工作回路自二氧化碳循环控制系统(8)的二氧化碳储气罐开始,经由主工作室进液管(103)、主工作室(1)、主工作室排液管(104)、分离室(3)、分离室排气管(301)、二氧化碳循环控制系统(8)的压缩机回到二氧化碳循环控制系统(8)的储气罐;所述制冷工作回路自二氧化碳循环控制系统(8)的二氧化碳储气罐开始,经由换热器盘管(5)和二氧化碳循环控制系统(8)的压缩机后回到二氧化碳循环控制系统(8)的储气罐。
2.根据权利要求1所述的二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,所述主工作室(1)的内部有盛放硅片的片架(2),外部由用于制冷的主工作室换热盘管(5)环绕,底部有加热丝。
3.根据权利要求1所述的二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,所述主工作室(1)顶部设置有高压密封盖(101),用于保证主工作室(1)具有良好的密闭性能。
4.根据权利要求1所述的二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,所述硅片架(2)用于盛放多种规格的硅片。
5.根据权利要求1所述的二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,所述分离室(3)的内部安装有分离室温度传感器(303)和分离室压力传感器(304),外部由用于制冷的分离室换热盘管(6)环绕。
6.根据权利要求1所述的二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,其特征在于,所述分离室(3)有带手动开关(901)的清洗废液排离管(9)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造