[发明专利]薄膜去除方法

权利要求书

1.一种薄膜去除方法，其特征在于，包括步骤：

提供表面具有薄膜的衬底；

将所述衬底传送至处理室内，所述处理室为SiCoNi预清洗设备的 清洗室；

利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体 激活；

将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；

利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜， 利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物，具体包括：对所述薄 膜进行刻蚀处理，且所述刻蚀处理去除的薄膜厚度小于或等于单次厚 度；将进行刻蚀处理后的所述衬底移至所述处理室内的退火位置，进行 退火处理；将退火后的所述衬底传送至SiCoNi预清洗设备的冷却室内； 对退火后的所述衬底进行冷却处理；依次重复上述刻蚀、退火及冷却处 理，直至将所述衬底上的所述薄膜完全去除为止，其中，所述单次厚度 是指利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜 时，一次能去除的薄膜厚度。

2.如权利要求1所述的去除方法，其特征在于：在提供表面具有 薄膜的衬底之后，将所述衬底传送至腔室内之前，还包括步骤：

利用干法刻蚀工艺去除部分所述薄膜。

3.一种用于形成局域金属硅化物的薄膜去除方法，其特征在于， 包括步骤：

提供已形成栅极结构及源/漏极的衬底；

在所述衬底上覆盖一层保护介质层；

在所述保护介质层上定义并曝露出待形成金属硅化物区域；

将已定义并曝露出待形成金属硅化物区域的所述衬底传送至处理 室内，所述处理室为SiCoNi预清洗设备的清洗室；

利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体 激活；

将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；

利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述待形 成金属硅化物区域上的所述保护介质层，利用退火处理去除所述刻蚀处 理过程中的生成物，具体包括：对所述待形成金属硅化物区域上的所述 保护介质层进行刻蚀处理，且所述刻蚀处理去除的所述保护介质层厚度 小于或等于单次厚度；将刻蚀处理后的所述衬底移至所述处理室内的退 火位置，进行退火处理；将退火后的所述衬底传送至SiCoNi预清洗设 备的冷却室内；对退火后的所述衬底进行冷却处理；依次重复上述刻蚀、 退火及冷却处理，直至将所述待形成金属硅化物区域上的所述保护介质 层完全去除为止，其中，所述单次厚度是指利用所述等离子体激活后的 反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜时，一次能去除的薄膜厚度。

4.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：在定义并曝露出 所述待形成金属硅化物区域之后，将已定义并曝露出待形成金属硅化物 区域的所述衬底传送至处理室内之前，还包括步骤：

利用干法刻蚀工艺去除所述待形成金属硅化物区域上的部分所述 保护介质层。

5.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：所述单次厚度为

6.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：所述处理室的温 度设置在30℃至50℃之间。

7.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：对反应气体进行 等离子体激活的所述射频电源功率在20至40W之间。

8.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：进行刻蚀处理时， 向所述处理室内通入的等离子体激活后的反应气体包括NF₃和NH₃，且 所述NF₃气体的流量在10至30sccm之间，所述NH₃气体的流量在40 至90sccm之间。

9.如权利要求3所述的去除方法，其特征在于：所述处理室内的 退火位置位于所述处理室上方，其温度设置在150℃至200℃之间。

10.如权利要求9所述的去除方法，其特征在于：进行退火处理时， 还向所述处理室内通入氢气和/或氦气。