[发明专利]一种负反馈型混合积分器的双二阶单元有效

专利信息
申请号: 200810227128.6 申请日: 2008-11-21
公开(公告)号: CN101425792A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 陈勇;周玉梅 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03H11/04 分类号: H03H11/04;H03H11/12
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 负反馈 混合 积分器 双二阶 单元
【权利要求书】:

1.一种负反馈型混合积分器的双二阶单元,其特征在于,包括:

一第一级跨导-电容积分器,包括两个PMOS晶体管和一个电容,用 于接收输入电压信号转换成电流信号,给电容充电,形成第一级积分器;

一第二级基于源极跟随器积分器,包括两个PMOS晶体管和一个电容, 用于将所述第一级积分器输出的电压信号转换成电流信号,给电容充电,形 成第二级积分器;

一反馈晶体管,包括两个NMOS晶体管,用于与所述两个积分器一起 综合复数极点,并控制输出共模电压;

一电流源,提供所述双二阶单元的支路电流;

所述第一级跨导-电容积分器具体包括:

第一PMOS管,该管的栅极接第一输入端,漏极标记为net1,源极与 衬底相连,标记为net3;

第二PMOS管,该管的栅极接第二输入端,漏极标记为net2,源极与 衬底接net3;

第一电容,一端接net1,另一端接net2;

所述第二级基于源极跟随器积分器具体包括:

第三PMOS管,该管的栅极接net1,漏极接地电压,源极和衬底接第 一输出端;

第四PMOS管,该管的栅极接net2,漏极接地电压,源极和衬底接第 二输出端;

第二电容,一端接第一输出端,另一端接第二输出端;

所述反馈晶体管具体包括:

第一NMOS管,该管的栅极接第一输出端,漏极接net1,源极和衬底 接地电压;

第二NMOS管,该管的栅极接第二输出端,漏极接net2,源极和衬底 接地电压;

所述电流源包括:

第一电流源,正端接电源电压,负端接net3;

第二电流源,正端接电源电压,负端接第一输出端;

第三电流源,正端接电源电压,负端接第二输出端。

2.根据权利要求1所述的双二阶单元,其特征在于,所述反馈晶体管 与第二级基于源极跟随器积分器中的源极跟随器形成负反馈环,与所述第二 级基于源极跟随器积分器中的电容一起确定双二阶单元传输函数中复数极 点。

3.根据权利要求1所述的双二阶单元,其特征在于,所述双二阶单元 的输入直流工作电压与输出直流工作电压相同。

4.根据权利要求1所述的双二阶单元,其特征在于,在所述第一级跨 导-电容积分器的输入晶体管的跨导值大于所述反馈晶体管的跨导值,该双 二阶单元具有大于0dB的直流增益。

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