[发明专利]半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810226383.9 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101740335A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李志强;张京晶;王军;李良坚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 结构 刻蚀 方法 | ||
1.一种半导体制造设备，包括：
适于放置晶片的等离子体腔室；
适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，
所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度，所述边缘保护圈的外径与所述晶片的直径相同，所述边缘保护圈的宽度大于1mm；
所述晶片具有定位槽，所述边缘保护圈对应定位槽的位置还具有能将所述定位槽遮盖的突起。
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述突起为梯形，所述梯形的上底边朝向晶片的中心。
3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述梯形的面积大于所述定位槽的面积。
4.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述突起为圆弧形、三角形或矩形。
5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体制造设备，其特征在于，所述边缘保护圈的材料为抗等离子体侵蚀的材料。
6.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，所述抗等离子体侵蚀的材料为石英。
7.一种半导体结构的刻蚀方法，该方法利用如权利要求1至6任一项所述的半导体制造设备，其特征在于，包括：
将晶片置于等离子体腔室中，所述晶片中具有半导体器件；
在所述晶片上形成图案化的掩膜层；
将所述边缘保护圈覆盖于所述晶片上，边缘保护圈的中心与晶片的中心重合，其中，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度，所述边缘保护圈的外径与所述晶片的直径相同，所述边缘保护圈的宽度大于1mm；所述晶片具有定位槽，所述边缘保护圈对应定位槽的位置还具有能将所述定位槽遮盖的突起；
以图案化的掩膜层为阻挡层对晶片上未被所述边缘保护圈遮盖的部分进行刻蚀，从而形成半导体结构。
8.根据权利要求7所述半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层为硬掩膜层或光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
