[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种平板显示装置及其制造方法，特别是一种有源矩阵有机 发光二极管像素结构及其制造方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting  Diode，简称AMOLED)是一种新型的平板显示器件，与液晶显示器(LCD)相 比，由于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具 有发光功能，因此AMOLED的视角和对比度要优于LCD；由于不需要提供外部 光源的背光源装置，因此AMOLED具有尺寸小、重量轻和功耗低等优点；由于 采用低直流驱动，因此AMOLED具有快速响应的优点；由于采用固体材料替代 LCD中的液体材料，因此AMOLED在外部冲击下比较稳定，且能够在比LCD更 宽的温度范围内工作；此外，AMOLED还具有生产成本低等优点。

目前，现有技术有源矩阵有机发光二极管像素结构通常包括栅线、信号 线和电源线，信号线和电源线均与栅线垂直，栅线、信号线和电源线一起限 定了像素区域，邻近信号线与栅线交叉点的位置形成一个作为寻址元件的第 一薄膜晶体管(也称开关薄膜晶体管)，邻近电源线与栅线交叉点的位置形 成一个控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管(也称驱动薄膜晶体管)。现 有技术有源矩阵有机发光二极管像素结构的制造方法为：在基板上沉积金属 薄膜，通过构图工艺形成栅线、栅电极和公共电极线图形；在基板上连续沉 积第一绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在栅电极上形成第 一有源层图形；在基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成信号线(也称数 据线)、第一源电极、第一漏电极和第一TFT沟道区域图形；在基板上沉积 第二绝缘层，通过构图工艺形成第一绝缘层过孔；在基板上沉积导电薄膜， 通过构图工艺形成第一像素电极图形，第一像素电极通过第一绝缘层过孔与 第一漏电极连接；在基板上再沉积一层第三绝缘层、半导体层和掺杂半导体 层，通过构图工艺在第一像素电极上形成第二有源层图形；在基板上沉积金 属薄膜，通过构图工艺形成电源线、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟 道区域图形；在基板上沉积第四绝缘层，通过构图工艺形成第二绝缘层过孔； 在基板上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成第二像素电极，第二像素电极通 过第二绝缘层过孔与第二漏电极连接。

由此可以看出，现有技术有源矩阵有机发光二极管像素结构的制造工艺 步骤较多，导致生产成本增加。另外，现有像素结构中的第一像素电极与公 共电极线之间存在着第一绝缘层和第二绝缘层，第一像素电极与公共电极线 间的垂直距离较大，因此使第一像素电极与公共电极线间形成的存储电容较 小。而实际使用表明，存储电容是有源矩阵有机发光二极管像素结构非常重 要的一个参数，对显示品质有重要的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方 法，有效解决现有技术工艺步骤多、存储电容较小等技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素结 构，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、信号线和电源线，所述像 素区域内分别形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、像素电极和公共电 极线，所述开关薄膜晶体管的第一漏电极作为驱动薄膜晶体管的栅电极。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种有源矩阵有机发光二极管像素 结构的制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、 栅线和公共电极线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积构图用的薄膜，通过构图工艺形成 信号线、第一有源层、第一源电极、第一漏电极和第一TFT沟道区域图形， 其中第一漏电极形成在像素区域内；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积构图用的薄膜，通过构图工艺形成 电源线、第二有源层、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟道区域图形；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积第三绝缘层，通过构图工艺形成包 括绝缘层过孔的图形，绝缘层过孔开设在第二漏电极位置；

步骤5、在完成步骤4的基板上沉积导电薄膜，通过构图工艺形成包括 像素电极的图形，且像素电极通过绝缘层过孔与第二漏电极连接。