[发明专利]利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法有效
| 申请号： | 200810225953.2 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101740331A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张国义;孙永健;康香宁;陈志忠;杨志坚;杨欣荣 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 固体激光器 无损 剥离 gan 蓝宝石 衬底 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光剥离GaN和蓝宝石衬底的方法，在蓝宝石上生长GaN基外延片；将带有蓝宝 石衬底的外延片制作为GaN基分立器件单元；电镀或键合其他导热导电衬底；应用激 光剥离的方法将蓝宝石衬底去除；其特征在于，所述激光剥离以固体激光器为激光光 源，使用周长为3～1000微米，且最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激 光扫描，其中小光斑内部的能量分布情况是：光斑中心能量最强，向四周能量逐渐变 弱。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小光斑的周长为100-400微米，且最长直 径不超过150微米。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小光斑的形状是正方形、长方形、圆形、 椭圆形、五边形、六边形、七边形或八边形。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固体激光器是固体倍频激光光源。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以光斑中心为能量最高点，整个小光斑内部 的能量呈高斯分布或近似高斯分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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