[发明专利]焊盘及其形成方法无效
| 申请号： | 200810225757.5 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740423A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
1.一种焊盘的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，且所述衬底内包含下层导电结构，所述下层导电结构上具有介质层，所述介质层内形成了焊盘开口；
在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层；
在所述导电层上覆盖一层盖层；
在所述盖层上定义焊盘图形；
对所述盖层及导电层进行刻蚀，形成焊盘。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述导电层材料为铝。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述盖层材料为氮化钛。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀中通入CH4气体。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述CH4气体的流量在5至20sccm之间。
6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀中腔室压力在5至15mTorr之间，RF功率在500至1500W之间。
7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀中还通入了含氯气体。
8.如权利要求1或4所述的形成方法，其特征在于：在形成所述导电层之前，还在所述衬底上形成了一层覆盖所述介质层及所述焊盘开口的阻挡层。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：所述阻挡层为TaN层。
10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀具体包括以下步骤：
进行预刻蚀处理；
进行主刻蚀处理，去除所述盖层及所述导电层；
进行第一过刻蚀处理，去除所述阻挡层；
进行第二过刻蚀处理。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于：所述主刻蚀处理、第一过刻蚀处理、第二过刻蚀处理中通入CH4气体。
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述CH4气体流量在5至20sccm之间。
13.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于：所述预刻蚀处理中通入CH4气体的流量在0至20sccm之间。
14.一种焊盘，形成于具有下层导电结构的衬底之上，其特征在于：所述焊盘至少包括导电层和覆盖在所述导电层上的盖层。
15.如权利要求14所述的焊盘，其特征在于：所述导电层材料为铝；所述盖层材料为TiN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
