[发明专利]一种多元氧化物纳米材料、纳米结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多元纳米结构，该纳米结构由分子式为A_wB_xC_yO_z的化合物形 成，式中A为Mn、Fe、Co、Ni、In或Zn，B为Mo，C为Cu，并且wa+xb+yc＝2z， a、b和c分别为金属元素A、B和C的价态。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述的纳米结构为纳米线、 纳米棒或纳米片。

3.一种制备权利要求1或2所述的纳米结构的方法，该方法包括以下 步骤：

a.将盛有A金属或其氧化物的容器置于炉体中1000-1400℃的温区， 将盛有B金属或其氧化物的容器置于炉体中600-1000℃的温区，并将C 金属箔片或镀有C金属膜的基片置于炉体中400-600℃的温区；

b.向炉体中通入氧气和惰性气体的混合气体，使得1)A金属或其氧化 物蒸气和2)B金属或其氧化物蒸气同时向C金属箔片或镀有C金属膜的基 片上传递，并保持2-40小时，在C金属箔片或镀有C金属膜的基片上得 到所述的纳米结构；

其中所述的A金属为Mn、Fe、Co、Ni、In或Zn，所述的B金属为 Mo，所述的C金属为Cu。

4.根据权利要求3所述的方法，在所述的步骤b中，向炉体中通入 15％-25％体积份数的氧气和余量的惰性气体的混合气体，该混合气体的流 速为10-200sscm。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述的惰性气体为氩气。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其中所述的C金属箔片的 厚度为50-100μm，所述的镀有C金属膜的基片为镀有50-100μm厚度的C 金属膜的基片。

7.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其中步骤a中所述的C金 属箔片的厚度为50-80μm，所述的镀有C金属膜的基片为镀有50-80μm厚 度的C金属膜的基片。

8.根据权利要求3-5中任一项所述的方法，其中在所述的步骤a中， 所述的镀有C金属膜的基片是在基片上通过热蒸发、电子束蒸镀或磁控溅 射的方法镀上C金属膜，形成镀有C金属膜的基片。

9.一种纳米材料，该纳米材料包含权利要求1或2所述的纳米结构。

10.根据权利要求9所述的纳米材料，其中所述的纳米结构是均匀生 长在C金属箔片或镀有C金属膜的基片上的纳米结构，所述的C金属为 Cu。